MT47H64M8CB-3:B Micron Technology Inc, MT47H64M8CB-3:B Datasheet - Page 96

• Manufacturer Part Number: MT47H64M8CB-3:B
• Description: IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA
• Manufacturer: Micron Technology Inc

Specifications of MT47H64M8CB-3:B

• Format - Memory: RAM
• Memory Type: DDR2 SDRAM
• Memory Size: 512M (64M x 8)
• Speed: 3ns
• Interface: Parallel
• Voltage - Supply: 1.7 V ~ 1.9 V
• Operating Temperature: 0°C ~ 85°C
• Package / Case: 60-FBGA
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant

Table 30:
Table 31:
PDF: 09005aef8117c18e, Source: 09005aef8211b2e6
512MbDDR2_2.fm - Rev. K 8/06 EN
(V/ns)
(V/ns)
DQ
DQ
1.5
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1.5
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
2
1
2
1
t
t
130
–28
–78
330
330
330
347
367
391
426
472
522
97
30
25
17
–7
2.0 V/ns
DS
2.0 V/ns
DS
5
Single-Ended DQS Slew Rate Derating Values Using
Reference points indicated in bold
Single-Ended DQS Slew Rate Fully Derated (DQS, DQ at V
Reference points indicated in bold
–135
–198
t
t
291
290
290
290
290
290
290
290
289
–10
–24
–41
–64
–93
DH
DH
53
32
Notes:
t
t
130
–28
–78
330
330
330
347
367
391
426
472
522
97
30
25
17
–7
1.8 V/ns
DS
1.8 V/ns
DS
5
–135
–198
t
t
291
290
290
290
290
290
290
290
289
–10
–24
–41
–64
–93
DH
DH
53
32
1. Derating values, to be used with base
t
t
130
–28
–78
330
330
330
347
367
391
426
472
522
97
30
25
17
1.6 V/ns
DS
–7
1.6 V/ns
DS
5
DQS Single-Ended Slew Rate Derated (at V
DQS Single-Ended Slew Rate Derated (at V
–135
–198
t
t
291
290
290
290
290
290
290
290
289
–10
–24
–41
–64
–93
DH
DH
53
32
t
t
130
–28
–78
330
330
330
347
367
391
426
472
522
97
30
25
17
1.4 V/ns
DS
–7
1.4 V/ns
DS
5
–135
–198
t
t
–10
–24
–41
–64
–93
291
290
290
290
290
290
290
290
289
DH
53
32
DH
t
130
–28
t
330
330
330
347
367
391
426
472
522
–78
96
97
30
25
17
1.2 V/ns
DS
–7
1.2 V/ns
DS
5
–135
–198
t
t
–10
–24
–41
–64
–93
291
290
290
290
290
290
290
290
289
DH
53
32
DH
t
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DS
345
t
145
112
t
345
345
362
382
406
441
487
537
–13
–63
b
45
40
32
20
1.0 V/ns
DS
1.0 V/ns
DS
8
- and
512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
t
DS
–140
–203
t
t
285
–15
–29
–46
–69
–98
286
285
285
285
285
285
285
284
t
DH
48
27
DH
DH
b
and
b
REF
-specified values.
t
155
122
t
355
355
355
372
392
416
451
497
547
–53
0.8 V/ns
DS
55
50
42
30
18
–3
0.8 V/ns
DS
REF
REF
Input Slew Rate Derating
) at DDR2-667
t
)
)
DH
–102
–143
–206
t
t
–18
–32
–49
–72
282
282
282
282
282
281
282
282
281
DH
45
24
DH
b
©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
t
165
132
t
365
365
365
382
402
426
461
507
557
–43
DS
65
60
52
40
28
DS
0.6 V/ns
0.6 V/ns
7
–105
–147
–210
t
t
–22
–36
–53
–75
279
278
278
278
278
278
278
278
DH
41
20
DH
29
t
175
142
t
375
375
375
392
412
436
471
517
567
–33
DS
75
70
61
50
38
17
DS
0.4V/ns
0.4V/ns
–108
–150
–213
t
t
–39
–56
–79
276
275
275
275
275
275
275
275
274
–25
DH
38
17
DH