mt47h64m16hw-3 Micron Semiconductor Products, mt47h64m16hw-3 Datasheet - Page 60

• Manufacturer Part Number: mt47h64m16hw-3
• Description: 1gb X4, X8, X16 Ddr2 Sdram
• Manufacturer: Micron Semiconductor Products

Table 34:
Table 35:
PDF: 09005aef8117c187/Source: 09005aef821aed36
DDR2_x4x8x16_Core2.fm - 1Gb DDR2: Rev. N; Core DDR2: Rev. C 4/08 EN
(V/ns)
(V/ns)
DQ
DQ
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
t
130
–28 –135
–78 –198
t
330
330
330
347
367
391
426
472
522
97
30
25
17
2.0 V/ns
DS
–7
2.0 V/ns
DS
5
Single-Ended DQS Slew Rate Derating Values Using
Reference points indicated in bold; Derating values are to be used with base
Single-Ended DQS Slew Rate Fully Derated (DQS, DQ at V
Reference points indicated in bold
t
–10
–24
–41
–64
–93
t
291
290
290
290
290
290
290
290
289
DH
53
32
DH
t
130
–28
–78
t
330
330
330
347
367
391
426
472
522
97
30
25
17
1.8 V/ns
DS
–7
DS
1.8 V/ns
5
–135
–198
t
–10
–24
–41
–64
–93
t
291
290
290
290
290
290
290
290
289
DH
53
32
DH
t
130
–28
–78
t
330
330
330
347
367
391
426
472
522
DS
97
30
25
17
–7
1.6 V/ns
DS
1.6 V/ns
5
DQS Single-Ended Slew Rate Derated (at V
DQS Single-Ended Slew Rate Derated (at V
–135
–198
t
–10
–24
–41
–64
–93
t
291
290
290
290
290
290
290
290
289
DH
53
32
DH
t
130
–28
–78
t
330
330
330
347
367
391
426
472
522
DS
97
30
25
17
–7
1.4 V/ns
1.4 V/ns
DS
5
–135
–198
t
–10
–24
–41
–64
–93
t
291
290
290
290
290
290
290
290
289
DH
53
32
DH
t
130
–28
–78
t
60
330
330
330
347
367
391
426
472
522
DS
97
30
25
17
–7
1.2 V/ns
1.2 V/ns
DS
5
–135
–198
t
–64
–10
–24
–41
–93
t
291
290
290
290
290
290
290
290
289
DH
53
32
DH
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
t
145
112
–13
–63
t
345
345
345
362
382
406
441
487
537
45
40
32
20
1.0 V/ns
DS
1.0 V/ns
DS
8
t
–140
–203
DS
t
–15
–29
–46
–69
–98
t
285
286
285
285
285
285
285
285
284
DH
48
27
DH
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
b
and
REF
t
155
122
–53
t
355
355
355
372
392
416
451
497
547
55
50
42
30
18
0.8 V/ns
DS
–3
0.8 V/ns
DS
REF
REF
Input Slew Rate Derating
) at DDR2-667
t
DH
)
)
t
–143
–206
DS
–102
t
–18
–32
–49
–72
t
282
282
282
282
281
282
282
281
282
DH
45
24
b
DH
b
©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
- and
t
165
132
–43
t
365
365
365
382
402
426
461
507
557
65
60
52
40
28
0.6 V/ns
DS
0.6 V/ns
DS
7
t
DH
–105
–147
–210
b
t
–22
–36
–53
–75
t
279
278
278
278
278
278
278
278
DH
41
20
-specified values
DH
29
t
175
142
–33
t
375
375
375
392
412
436
471
517
567
75
70
61
50
38
17
DS
DS
0.4V/ns
0.4V/ns
–108
–150
–213
t
–25
–39
–56
–79
t
276
275
275
275
275
275
275
275
274
DH
38
17
DH