MT57V1MH18E Micron Semiconductor Products, Inc., MT57V1MH18E Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: MT57V1MH18E
• Description: 18Mb DDR SRAM, 2.5V Vdd, Hstl, 4-Word Burst,
• Manufacturer: Micron Semiconductor Products, Inc.

Table 3:
NOTE:
18Mb: 2.5V V
MT57V1MH18E_16_F.fm – Rev. F, Pub. 3/03
1. Expansion address: 3A for 36Mb
2. BW2# controls writes to DQ18:DQ26
3. BW1# controls writes to DQ9:DQ17
4. BW3# controls writes to DQ27:DQ35
5. BW0# controls writes to DQ0:DQ8
M
A
B
C
D
G
H
K
N
R
E
F
L
P
J
DD
TDO
CQ#
, HSTL, Pipelined DDRb4 SRAM
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
1
512K x 36 Ball Layout (Top View)
165-Ball FBGA
DQ27
DQ29
DQ30
DQ31
DQ33
DQ35
V
TCK
V
NC
NC
NC
NC
NC
NC
REF
2
SS
NC/SA
DQ18
DQ28
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
V
DQ32
DQ23
DQ24
DQ34
DQ25
DQ26
DD
SA
3
Q
1
V
V
V
V
V
V
V
R/W#
V
V
V
V
DD
DD
DD
DD
DD
DD
DD
SA
SA
SA
4
SS
SS
SS
SS
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
BW2#
BW3#
V
V
V
V
V
V
V
V
V
SA
SA
SA
SA
2.5V V
5
DD
DD
DD
DD
DD
SS
SS
SS
SS
2
4
SA0
7
V
V
V
V
V
V
V
V
V
K#
SA
C#
6
K
C
DD
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
, HSTL, PIPELINED DDRb4 SRAM
BW1#
BW0#
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
SA1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
SA
SA
SA
7
DD
DD
DD
DD
DD
SS
SS
SS
SS
3
5
V
V
V
V
V
V
V
LD#
V
V
V
V
DD
DD
DD
DD
DD
DD
DD
1 MEG x 18, 512K x 36
SA
SA
SA
8
SS
SS
SS
SS
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
V
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DD
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
SA
9
Q
DQ17
DQ15
DQ13
DQ12
DQ11
V
DQ9
TMS
V
NC
NC
NC
NC
NC
NC
10
REF
SS
©2003 Micron Technology, Inc.
DQ16
DQ14
DQ10
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
TDI
CQ
ZQ
11