MT57V1MH18E Micron Semiconductor Products, Inc., MT57V1MH18E Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: MT57V1MH18E
• Description: 18Mb DDR SRAM, 2.5V Vdd, Hstl, 4-Word Burst,
• Manufacturer: Micron Semiconductor Products, Inc.

Table 2:
NOTE:
18Mb: 2.5V V
MT57V1MH18E_16_F.fm – Rev. F, Pub. 3/03
1. Expansion address: 10A for 36Mb
M
A
B
C
D
G
H
K
N
R
E
F
L
P
J
DD
TDO
CQ#
, HSTL, Pipelined DDRb4 SRAM
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
1
1 Meg x 18 Ball Layout (Top View)
165-Ball FBGA
DQ12
DQ15
DQ9
V
TCK
V
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
REF
2
SS
DQ10
DQ11
DQ13
V
DQ14
DQ16
DQ17
SA
NC
NC
NC
DD
NC
NC
NC
SA
3
Q
V
V
V
V
V
V
V
R/W#
V
V
V
V
DD
DD
DD
DD
DD
DD
DD
SA
SA
SA
4
SS
SS
SS
SS
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
BW1#
V
V
V
V
V
V
V
V
V
NC
SA
SA
SA
SA
2.5V V
5
DD
DD
DD
DD
DD
SS
SS
SS
SS
SA0
6
V
V
V
V
V
V
V
V
V
K#
SA
C#
6
K
C
DD
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
, HSTL, PIPELINED DDRb4 SRAM
BW0#
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
SA1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
NC
SA
SA
SA
7
DD
DD
DD
DD
DD
SS
SS
SS
SS
V
V
V
V
V
V
V
LD#
V
V
V
V
DD
DD
DD
DD
DD
DD
DD
1 MEG x 18, 512K x 36
SA
SA
SA
8
SS
SS
SS
SS
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
V
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DD
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
SA
9
Q
V
SS
DQ7
V
DQ4
DQ1
TMS
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
10
REF
/SA
©2003 Micron Technology, Inc.
1
DQ8
DQ6
DQ5
DQ3
DQ2
DQ0
TDI
CQ
NC
NC
NC
ZQ
NC
NC
NC
11