KM432S2030CT-F10 SAMSUNG [Samsung semiconductor], KM432S2030CT-F10 Datasheet - Page 17

• Manufacturer Part Number: KM432S2030CT-F10
• Description: 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
• Manufacturer: SAMSUNG [Samsung semiconductor]

KM432S2030C
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
*Note : 1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
(a) CL=2, BL=4
(b) CL=3, BL=4
i) CMD
ii) CMD
iii) CMD
iv) CMD
i) CMD
ii) CMD
iii) CMD
iii) CMD
iv) CMD
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
CLK
CLK
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
RD
RD
RD
RD
RD
RD
RD
RD
RD
WR
D
WR
D
Hi-Z
0
0
WR
Hi-Z
WR
D
Q
D
D
D
0
1
0
0
1
Note 1
WR
Hi-Z
WR
Q
D
Hi-Z
D
D
D
D
D
0
0
2
1
1
0
2
Note 1
Hi-Z
WR
WR
D
D
D
D
D
D
D
D
3
2
1
0
3
2
0
1
WR
D
D
D
D
D
D
D
3
2
- 17
1
3
2
0
1
D
D
D
D
D
3
2
3
2
1
D
D
D
3
3
2
D
3
REV. 1.1 Mar. '99
CMOS SDRAM