BLF7G22L-160 NXP Semiconductors, BLF7G22L-160 Datasheet - Page 18

• Manufacturer Part Number: BLF7G22L-160
• Description: 160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 2000 MHz to 2200 MHz
• Manufacturer: NXP Semiconductors

NXP Semiconductors
13. Contents
1
1.1
1.2
1.3
2
3
4
5
6
7
7.1
7.2
7.3
7.4
7.5
7.6
7.7
7.8
7.9
8
9
10
11
11.1
11.2
11.3
11.4
12
13
Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Ordering information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Test information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Abbreviations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Legal information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Contact information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
General description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features and benefits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Ruggedness in class-AB operation . . . . . . . . . 3
2-Carrier W-CDMA 5 MHz . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2-Carrier W-CDMA 10 MHz . . . . . . . . . . . . . . . 5
1-Carrier W-CDMA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
IS-95 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
CW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
CW-pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Test circuit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Impedance information . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Data sheet status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Disclaimers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
BLF7G22L-160; BLF7G22LS-160
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© NXP B.V. 2011.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: [e-mail]
Document identifier: BLF7G22L-160_7G22LS-160
Power LDMOS transistor
Date of release: 2 November 2011
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