MJE18004D2G ON Semiconductor, MJE18004D2G Datasheet - Page 3

MJE18004D2G

Manufacturer Part Number

MJE18004D2G

Description

TRANS PWR NPN 5A 450V TO-220AB

Manufacturer

ON Semiconductor

Datasheet

1.MJE18004D2.pdf (10 pages)

Specifications of MJE18004D2G

Transistor Type

NPN

Current - Collector (ic) (max)

Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)

450V

Vce Saturation (max) @ Ib, Ic

750mV @ 400mA, 2A

Current - Collector Cutoff (max)

100µA

Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce

6 @ 2A, 1V

Power - Max

75W

Frequency - Transition

13MHz

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3 (Straight Leads)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current page: 3 of 10
Download datasheet (234Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DIODE CHARACTERISTICS

DYNAMIC CHARACTERISTICS

SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 ms)

SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (V

Forward Diode Voltage (I

Forward Recovery Time (I

Current Gain Bandwidth (I

Output Capacitance (V

Input Capacitance (I

Turn−on Time

Turn−off Time

Turn−on Time

Turn−off Time

Turn−on Time

Turn−off Time

Fall Time

Storage Time

Crossover Time

Fall Time

Storage Time

Crossover Time

Fall Time

Storage Time

Crossover Time

= 1 Adc, di/dt = 10 A/ms)

= 2 Adc, di/dt = 10 A/ms)

= 2 Adc)

= 0.5 Adc, V

= 10 Vdc, I

= 0.4 Adc, di/dt = 10 A/ms)

= 1 Adc)

= 0.5 Adc, V

Î Î Î Î Î Î Î Î

Characteristic

= 2.5 Adc, I

= 2 Adc, I

= 10 Vdc, f = 1 MHz)

= 0, f = 1 MHz)

= 500 mAdc

= 400 mAdc

= 100 mAdc

= 500 mAdc

= 2.5 Adc

= 0.5 Adc

= 300 mH

= 200 mH

= 10 Vdc, f = 1 MHz)

= 250 Vdc

= 300 Vdc

= 2 Adc

= 1 Adc

= 350 V

= 300 V

= 1 Adc

= 25°C unless otherwise noted)

= 0.4 Adc

= 0.5 Adc

http://onsemi.com

= 15 V)

Î Î Î Î Î Î

@ T

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

Î Î Î Î

Symbol

off

Î Î Î

1.85

Min

1.1

2.1

−

Î Î Î Î

0.96

0.72

1.15

2.12

1.05

Typ

440

335

450

500

100

150

120

500

130

300

355

750

230

300

700

100

160

0.8

1.6

2.6

2.9

0.7

−

Î Î Î

Max

2.15

100

750

150

175

500

150

450

120

1.5

1.7

1.4

1.3

2.4

0.9

−

Î Î Î

MHz

Unit

MJE18004D2G ON Semiconductor, MJE18004D2G Datasheet - Page 3

MJE18004D2G

Specifications of MJE18004D2G

Related parts for MJE18004D2G