MJE18004D2G ON Semiconductor, MJE18004D2G Datasheet - Page 2

MJE18004D2G

Manufacturer Part Number

MJE18004D2G

Description

TRANS PWR NPN 5A 450V TO-220AB

Manufacturer

ON Semiconductor

Datasheet

1.MJE18004D2.pdf (10 pages)

Specifications of MJE18004D2G

Transistor Type

NPN

Current - Collector (ic) (max)

Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)

450V

Vce Saturation (max) @ Ib, Ic

750mV @ 400mA, 2A

Current - Collector Cutoff (max)

100µA

Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce

6 @ 2A, 1V

Power - Max

75W

Frequency - Transition

13MHz

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3 (Straight Leads)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current page: 2 of 10
Download datasheet (234Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

OFF CHARACTERISTICS

ON CHARACTERISTICS

DYNAMIC SATURATION VOLTAGE

Collector−Emitter Sustaining Voltage (I

Collector−Base Breakdown Voltage (I

Emitter−Base Breakdown Voltage (I

Collector Cutoff Current (V

Collector Cutoff Current

Emitter−Cutoff Current (V

Base−Emitter Saturation Voltage (I

Collector−Emitter Saturation Voltage (I

DC Current Gain (I

Dynamic Saturation Voltage:

= 2 Adc, I

= 0.8 Adc, I

= 1 Adc, I

= 2 Adc, V

= 1 Adc, V

= 2 Adc, I

Determined 1 ms and 3 ms

respectively after rising I

reaches 90% of final I

= 0.4 Adc)

= 0.2 Adc)

= 40 mAdc)

= 0.4 Adc)

= 1 Vdc)

= 2.5 Vdc)

= 0.8 Adc, V

= 10 Vdc, I

= Rated V

= 500 V, V

Characteristic

Î Î Î Î Î

= 0.8 Adc, I

EBO

= 1 Vdc)

CBO

= 0.8 Adc, I

CEO

= 1 mA)

CES

= 100 mA, L = 25 mH)

= 0)

= 100 mA

= 1 mA)

= 1 Adc

= 2 Adc

= 0.4 A

= 300 V

, I

= 0)

, V

= 25°C unless otherwise noted)

= 0)

= 80 mAdc)

= 0)

= 80 mAdc)

Î Î Î Î

@ 1 ms

@ 3 ms

@ 1 ms

@ 3 ms

http://onsemi.com

Î Î Î Î Î

@ T

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

Î Î Î Î

Symbol

CEO(sus)

CE(dsat)

CE(sat)

BE(sat)

CEO

CES

EBO

CBO

EBO

Î Î Î

1000

Min

450

−

Î Î Î Î

1100

0.38

0.55

0.45

0.75

0.25

0.28

Typ

547

0.8

0.7

0.9

0.8

0.9

1.6

3.1

1.4

−

Î Î Î

Max

0.75

100

500

100

0.9

0.5

1.5

0.5

0.6

−

Î Î Î

mAdc

Unit

Vdc

−

MJE18004D2G ON Semiconductor, MJE18004D2G Datasheet - Page 2

MJE18004D2G

Specifications of MJE18004D2G

Related parts for MJE18004D2G