NAND512W3A2CN6E NUMONYX, NAND512W3A2CN6E Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: NAND512W3A2CN6E
• Description: IC FLASH 512MBIT 48TSOP
• Manufacturer: NUMONYX

Specifications of NAND512W3A2CN6E

• Format - Memory: FLASH
• Memory Type: FLASH - Nand
• Memory Size: 512M (64M x 8)
• Interface: Parallel
• Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
• Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 48-TSOP
• Cell Type: NAND
• Density: 512Mb
• Access Time (max): 12us
• Interface Type: Parallel
• Boot Type: Not Required
• Address Bus: 26b
• Operating Supply Voltage (typ): 3/3.3V
• Operating Temp Range: -40C to 85C
• Package Type: TSOP
• Program/erase Volt (typ): 2.7 to 3.6V
• Sync/async: Asynchronous
• Operating Temperature Classification: Industrial
• Operating Supply Voltage (min): 2.7V
• Operating Supply Voltage (max): 3.6V
• Word Size: 8b
• Number Of Words: 64M
• Supply Current: 20mA
• Mounting: Surface Mount
• Pin Count: 48
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Speed: -
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant, Compliant

NAND512-A2C
7
8
9
10
11
12
13
6.3
6.4
6.5
6.6
6.7
6.8
Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
7.1
7.2
7.3
7.4
7.5
7.6
Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
10.1
10.2
Package mechanical . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
Ordering information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Read status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
6.7.1
6.7.2
6.7.3
6.7.4
Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
NAND flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
Hardware simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
7.6.1
7.6.2
Ready/Busy signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
P/E/R controller bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
SR5, SR4, SR3, SR2 and SR1 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
Contents
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