ECH8660-TL-H ON Semiconductor, ECH8660-TL-H Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: ECH8660-TL-H
• Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Series: -r

Specifications of ECH8660-TL-H

• Fet Type: N and P-Channel
• Fet Feature: Logic Level Gate
• Rds On (max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V
• Drain To Source Voltage (vdss): 30V
• Current - Continuous Drain (id) @ 25° C: 4.5A
• Vgs(th) (max) @ Id: -
• Gate Charge (qg) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
• Input Capacitance (ciss) @ Vds: 240pF @ 10V
• Power - Max: 1.5W
• Mounting Type: Surface Mount
• Package / Case: 8-SMD
• Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant

0.01
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
100
180
160
140
120
100
1.0
0.1
10
--0.001
10
80
60
40
20
0
7
5
3
2
7
5
3
--0.1
0
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
0
0
V DS = --10V
V DD = --15V
V GS = --10V
I D = --1A
--0.1
2 3
--2
2
--0.2
5 7
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--2A
--0.01 2
--4
3
--0.3
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
5
--6
3
|
--0.4
I D -- V DS
y
5 7
7
fs | -- I D
t d (on)
--0.5
--0.1
--1.0
--8
--0.6
2
--10
3
2
5 7
--0.7
--1.0
--12
3
--0.8
2
Ta=25°C
5
--14
3
--0.9 --1.0
IT14190
IT14192
IT14186
IT16224
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
7
5 7
ECH8660
--16
--10
--10
--0.01
1000
--1.0
--0.1
--10
100
160
140
120
100
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
--0.2
0
0
--60 --40 --20
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
0
0
V DS = --10V
--0.5
--5
--0.4
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
--1.0
Ambient Temperature, Ta -- ° C
0
--10
R DS (on) -- Ta
--1.5
20
--0.6
I D -- V GS
I S -- V SD
40
--2.0
--15
60
--0.8
--2.5
80
--20
100
--3.0
No. A1358-5/6
--1.0
120
--25
V GS =0V
--3.5
f=1MHz
140
IT14187
IT14189
IT14191
IT14193
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
--4.0
--1.2
160
--30