SCH2830-TL-E SANYO, SCH2830-TL-E Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: SCH2830-TL-E
• Description: MOSFET P-CH/DIODE SCHOTTKY SCH6
• Manufacturer: SANYO

Specifications of SCH2830-TL-E

• Fet Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide
• Fet Feature: Diode (Isolated)
• Rds On (max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 4V
• Drain To Source Voltage (vdss): 20V
• Current - Continuous Drain (id) @ 25° C: 1A
• Gate Charge (qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4V
• Input Capacitance (ciss) @ Vds: 115pF @ 10V
• Power - Max: 600mW
• Mounting Type: Surface Mount
• Package / Case: 6-SCH
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Vgs(th) (max) @ Id: -
• Other names: 869-1198-2

Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
P.G
--4V
0V
PW=10µs
D.C.≤1%
1000
--1.0
--0.9
--0.8
--0.7
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
V IN
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
0
0
--0.1
--0.3A
V IN
--0.1A
50Ω
G
--0.2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--2
I D = --0.5A
--0.3
V DD = --10V
R DS (on) -- V GS
D
--0.4
I D -- V DS
S
I D = --0.5A
R L =20Ω
SCH2830
--0.5
--4
V OUT
--0.6
--0.7
--6
--0.8
[MOSFET]
[MOSFET]
Ta=25°C
--0.9
IT03501
IT12362
SCH2830
--1.0
--8
t rr Test Circuit
[SBD]
Duty≤10%
10µs
1000
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
50Ω
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
--60
0
V DS = --10V
--40
--5V
--0.5
--20
100Ω
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- °C
0
--1.0
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
10Ω
40
--1.5
60
80
--2.0
100
No. A0861-3/6
t rr
120
[MOSFET]
[MOSFET]
--2.5
140
IT03502
IT12363
--3.0
160