FZ2400R12KE3_B9 Infineon Technologies, FZ2400R12KE3_B9 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: FZ2400R12KE3_B9
• Description: IGBT Modules N-CH 1.2KV 3.2KA
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of FZ2400R12KE3_B9

• Configuration: Triple
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 1200 V
• Continuous Collector Current At 25 C: 3200 A
• Maximum Operating Temperature: + 125 C
• Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Mounting Style: Screw
• Package / Case: IHM190
• Ic (max): 2,400.0 A
• Vce(sat) (typ): 1.7 V
• Technology: IGBT3
• Housing: IHM 190 mm

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
Modul / module
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
5
$
"
- &
m
:
$
$ G $ $ `
' $
: < &
$
: < &
@ A
A &
U
$
$
$
&
$
$
&
&
&
< H
$
&
& CH $ A
$
;
<
& A
$ $
$ $
t
$ %
& %
H
$
4
5
&
"
&
A
$
! $
!
t
&
4
4
A &
G
&
! a
! :
$
FZ2400R12KE3_B9
&
&
&
O %4 * +
"
"
"
"
n=JIBR * 1 CFV$_"W F noTRJIR * 1 CFV$_"W
'. * +, 4
C
C
%
%
%
"
"
"
"
F
F
F
!
F
<4 * 1 $ !
4 a $
4 a $
U
U
%
$
A
A
A
F
F
3
F
F
$
$
F
3
$
$
A
$
$
F 5
F 5
4 a
4 a
O..qr//q
'() 8J^
OBL.p
'() 7s
-f0gh
'IBo
I./
@
Vorläufige Daten
preliminary data
'5
$ !
143
34
4 +
: ijk
l
9 4
1
4
41
4+
+
4
!
$ G!
+4 +
1+
1 +
1 +
1
41
"F C
$$
$$
$Q
u$
u$
u$
,
,
,
&
-