K4D551638D SAMSUNG [Samsung semiconductor], K4D551638D Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: K4D551638D
• Description: 256Mbit GDDR SDRAM
• Manufacturer: SAMSUNG [Samsung semiconductor]

K4D551638D-TC
PIN CONFIGURATION
PIN DESCRIPTION
CK,CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
L(U)DQS
L(U)DM
RFU
Data Strobe
Differential Clock Input
Clock Enable
Chip Select
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Data Mask
Reserved for Future Use
(Top View)
AP/A
LDQS
V
V
V
LDM
V
V
CAS
RAS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
BA
BA
V
V
WE
V
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
NC
DDQ
NC
NC
NC
CS
A
A
A
A
DD
DD
DD
10
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
0
1
2
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
(0.65 mm Pin Pitch)
(400mil x 875mil)
66 PIN TSOP(II)
- 4 -
VREF
BA
A
DQ
V
V
V
V
NC
0
DD
SS
DDQ
SSQ
0
~A
0
, BA
~ DQ
12
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
1
15
V
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
NC
V
UDQS
NC
V
V
UDM
CK
CK
CKE
NC
A
A
A
A
A
A
A
A
V
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
REF
SS
12
11
9
8
7
6
5
4
SS
15
14
13
12
11
10
9
8
256M GDDR SDRAM
Bank Select Address
Data Input/Output
Power
Ground
Power for DQ
Ground for DQ
No Connection
Reference voltage
Address Input
Rev 1.8 (Oct. 2003)
’
s
’
s