HY27UG088GDM HYNIX [Hynix Semiconductor], HY27UG088GDM Datasheet - Page 50

• Manufacturer Part Number: HY27UG088GDM
• Description: 8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash
• Manufacturer: HYNIX [Hynix Semiconductor]

MARKING INFORMATION-
Rev. 0.6 / Dec. 2006
- h y n ix
- K O R
- H Y 2 7 x G x x 8 G x M x x x x
- Y : Y e ar (ex: 5= year 20 0 5 , 06 = year 20 0 6 )
- w w : W o rk W eek (e x: 12 = w ork w eek 12 )
- x x : P roce ss C o d e
N o te
- C a p ita l L e tte r
- S m a ll L e tte r
H Y : H yn ix
2 7 : N A N D Fla sh
x : P ow e r S u pp ly
G : C lassifica tio n
x x : B it O rg a n iza tion
8 G : D e n sity
x : M o de
M : V e rsio n
x : P acka ge T yp e
x : P acka ge M a te ria l
x : O p eratin g T e m perature
x : B ad B lo ck
P a ck a g
T S O P 1
U L G A
/
H
x
TSOP1/ULGA
Y
x
2
x
: H yn ix S ym bo l
: O rig in C o u n try
: P a rt N u m b er
: U (2 .7 V ~ 3 .6 V )
: S in g le Leve l C e ll+ D o u b le D ie + La rg e B lock
: 0 8 (x8 )
: 8 G b it
: 5 (2 n C E & 2 R /n B ; S e q u e n tia l R ow R e a d D isa ble )
: D (D u al in te rfa ce ; S e q u e n tia l R ow R e a d D isa b le )
: 1 st G en e ratio n
: T (4 8 -T S O P 1 ), U (5 2 -U LG A )
: B la n k(N orm a l), P (Le a d Fre e )
: C (0℃ ~ 7 0℃ ), E (-2 5℃ ~ 8 5℃ )
: B (In clu d e d B a d B lock ), S (1 ~ 5 B a d B lock ),
: Fixe d Ite m
: N on -fixe d Ite m
M (-3 0 ℃ ~ 8 5℃ ), I(-4 0℃ ~ 8 5℃ )
P (A ll G o od B lo ck)
7
x
M a rk in g E x a m p le
x
G
x
8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash
HY27UG088G(5/D)M Series
Y
x
W
8
W
G
K
O
x
x
M
R
x
50