PBSS4350 Philips Semiconductors, PBSS4350 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: PBSS4350
• Description: 50 V low VCEsat NPN transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2000 Mar 08
handbook, halfpage
handbook, halfpage
NPN transistor
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
V CEsat
C
CE
/I
h FE
(V)
B
10
10
10
600
400
200
= 2 V.
= 20.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
10
1
1
2
3
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
DC current gain as a function of collector
current.
1
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
1
1
10
10
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(3)
2
2
(2)
10
10
3
3
I C (mA)
I C (mA)
MCD915
MCD917
10
10
4
4
4
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V BEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
C
CE
/I
(V)
V BE
B
(V)
1.2
0.8
0.4
1.5
0.5
= 2 V.
= 20.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
1
0
10
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
1
1
Base-emitter voltage as a function of
collector current.
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
1
1
10
10
(1)
(2)
(3)
10
10
(1)
(2)
(3)
2
2
PBSS4350D
Product specification
10
10
3
3
I C (mA)
I C (mA)
MCD916
MCD918
10
10
4
4