PDTB113E NXP Semiconductors, PDTB113E Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: PDTB113E
• Description: PNP 500mA 50V resistor-equipped transistors
• Manufacturer: NXP Semiconductors

NXP Semiconductors
PDTB113E_SER_2
Product data sheet
Fig 1.
Fig 3.
V
−10
(V)
I(on)
h
10
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
−10
10
FE
10
10
−1
−1
−1
−10
−10
3
2
1
V
DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
On-state input voltage as a function of
collector current; typical values
−1
−1
CE
amb
amb
amb
CE
amb
amb
amb
= −5 V
= −0.3 V
= 100 °C
= 25 °C
= −40 °C
= −40 °C
= 25 °C
= 100 °C
−1
−1
(1)
(2)
(3)
−10
−10
(1)
(2)
(3)
−10
−10
2
2
I
I
006aaa345
C
006aaa347
C
(mA)
(mA)
PNP 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ
Rev. 02 — 16 November 2009
−10
−10
3
3
Fig 2.
Fig 4.
V
V
−10
−10
−10
CEsat
(V)
(V)
I(off)
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
−10
−1
−1
−2
−1
−10
−10
I
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
Off-state input voltage as a function of
collector current; typical values
C
−1
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
B
(1)
(2)
(3)
= −5 V
= 20
= 100 °C
= 25 °C
= −40 °C
= −40 °C
= 25 °C
= 100 °C
PDTB113E series
−10
−1
2
www.DataSheet4U.com
(1)
(2)
(3)
I
I
C
C
(mA)
(mA)
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
006aaa346
006aaa348
−10
−10
3
5 of 10