T3160N Infineon Technologies, T3160N Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: T3160N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T3160N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,200.0 - 1,800.0 V
• Itsm: 57,000.0 A
• Itavm: 3160 (180 ° el sin)
• Housing: Disc dia 111mm height 26mm / Ceramic
• Configuration: Phase Control Thyristors / SCR

IFBIP D AEC / 2010-07-13, H.Sandmann
N
Phase Control Thyristor
Netz-Thyristor
60
50
40
30
20
10
0
1
Typical dependency of maximum overload on-state current I
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
2
3
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
4
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V
Datenblatt / Data sheet
5
6
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
I
T(OV)M
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
7
= f (pulses, V
T3160N
8
A 20/10
T(OV)M
9
RM
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
) ; T
10
vj
= T
T(OV)M
vjmax
11
as a number of a sequence of
12
RM
13
RM
14
Seite/page
15
16
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
17
9/10