FZ1200R17KF6C_B2 Infineon Technologies, FZ1200R17KF6C_B2 Datasheet

FZ1200R17KF6C_B2

Manufacturer Part Number

FZ1200R17KF6C_B2

Description

IGBT Modules N-CH 1.7KV 1.95KA

Manufacturer

Infineon Technologies

Datasheet

1.FZ1200R17KF6C_B2.pdf (9 pages)

Specifications of FZ1200R17KF6C_B2

Configuration

Dual Common Emitter Common Gate

Collector- Emitter Voltage Vceo Max

1700 V

Collector-emitter Saturation Voltage

2.6 V

Continuous Collector Current At 25 C

1950 A

Gate-emitter Leakage Current

400 nA

Power Dissipation

9.6 KW

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Maximum Gate Emitter Voltage

+/- 20 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Mounting Style

Screw

Package / Case

IHM130

Channel Type

Collector-emitter Voltage

1.7kV

Gate To Emitter Voltage (max)

±20V

Mounting

Screw

Operating Temperature (min)

-40C

Operating Temperature (max)

125C

Operating Temperature Classification

Automotive

Ic (max)

1,200.0 A

Vce(sat) (typ)

2.7 V

Technology

IGBT2 Low Loss

Housing

IHM 130 mm

Lead Free Status / Rohs Status

Not Compliant

Available stocks

Company

Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

FZ1200R17KF6C_B2FZ1200R17KF6C-B2

Manufacturer:

INFINEON

Quantity:

120

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

FZ1200R17KF6C_B2

Manufacturer:

EUPEC/Infineon

Quantity:

1 000

Company:

HONG KONG JIETUO ZIJING INTERNATIONAL TRADING CO., LIMITED

Part Number:

FZ1200R17KF6C_B2

Quantity:

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Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom

DC forward current

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

Gateladung

gate charge

Eingangskapazität

input capacitance

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

prepared by: A. Wiesenthal

approved by: Christoph Lübke; 12.04.2001

IGBT-Module

IGBT-Modules

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

Technische Information / Technical Information

t - value, Diode

tp = 1 ms

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

f = 1MHz,T

date of publication: 05.04.2001

revision: 1 (preliminary)

FZ 1200 R 17 KF6C B2

= 1 ms, T

=25°C, Transistor

= 1200A, V

= 80mA, V

= 25°C

= 80 °C

= 25 °C

= 0V, t

= -15V ... +15V

= 1700V, V

= 0V, V

= 10ms, T

= 25°C,V

= 80°C

= 20V, T

= V

= 15V, T

1(8)

= 0V, T

, T

= 125°C

= 25V, V

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 0V

C,nom.

CRM

CE sat

GE(th)

FRM

CES

GES

ISOL

CES

GES

ies

res

tot

vorläufige Daten

preliminary data

min.

4,5

+/- 20V

1700

1200

1950

2400

1200

2400

typ.

14,5

380

9,6

2,6

3,1

5,5

FZ1200R17KF6CB2_V.xls

max.

400

3,1

3,6

6,5

µC

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FZ1200R17KF6C_B2 Summary of contents

Page 1

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom ...

Page 2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) ...

Page 3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical ...

Page 4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) 2400 2200 2000 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0,5 1,0 1,5 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 2400 2200 VGE = 20V 2000 VGE ...

Page 5

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) 2400 2200 2000 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 2400 2200 ...

Page 6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 1200 1000 800 600 400 200 0 0 400 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 1400 1200 1000 800 600 400 200 1200 R 17 ...

Page 7

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FZ 1200 R 17 KF6C B2 IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 0,01 0,001 0,001 0, [K/kW] : IGBT i J [sec] : IGBT i r [K/kW] : Diode i J ...

Page 8

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Äußere Abmessungen / external dimensions FZ 1200 R 17 KF6C B2 8(8) FZ1200R17KF6CB2_V.xls ...

Page 9

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