KMM5361205C2W SAMSUNG [Samsung semiconductor], KMM5361205C2W Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: KMM5361205C2W
• Description: 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
• Manufacturer: SAMSUNG [Samsung semiconductor]

DRAM MODULE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
RAS0
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
A0-A9
Vcc
Vss
W
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
W A0-A9
W A0-A9
W A0-A9
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
- 4 -
U0
U2
U1
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
KMM5361205C2W/C2WG
To all DRAMs
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
DQ8
DQ17
DQ26
DQ35
DQ9
Rev. 0.0 (Nov. 1997)