pbss2515ypn NXP Semiconductors, pbss2515ypn Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: pbss2515ypn
• Description: 15 V Low Vce Sat Npn/pnp Transistor
• Manufacturer: NXP Semiconductors

Philips Semiconductors
2005 Jan 11
handbook, halfpage
handbook, halfpage
15 V low V
V CEsat
TR2 (PNP) V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.8
TR2 (PNP) I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.10 Collector-emitter saturation voltage as a
(mV)
h FE
600
400
200
10
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
1
3
2
10
10
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
function of collector current; typical values.
1
1
C
CE
/I
B
= 2 V.
= 20.
CE(sat)
1
1
(1)
(2)
(3)
NPN/PNP transistor
10
10
(2)
(3)
(1)
10
10
2
2
I C (mA)
I C (mA)
MLD693
MLD697
10
10
3
3
7
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V BEsat
TR2 (PNP) V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.9
TR2 (PNP) I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.11 Base-emitter saturation voltage as a
(mV)
(mV)
V BE
1200
1000
1200
1000
800
600
400
200
800
600
400
200
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
function of collector current; typical values.
1
1
C
CE
/I
B
= 2 V.
= 20.
1
1
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
PBSS2515YPN
Product specification
10
10
2
2
I C (mA)
I C (mA)
MLD695
MLD696
10
10
3
3