pbss2515ypn NXP Semiconductors, pbss2515ypn Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: pbss2515ypn
• Description: 15 V Low Vce Sat Npn/pnp Transistor
• Manufacturer: NXP Semiconductors

Philips Semiconductors
2005 Jan 11
handbook, halfpage
handbook, halfpage
15 V low V
V CEsat
TR1 (NPN) V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
TR1 (NPN) I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
(mV)
h FE
600
400
200
10
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
10
1
3
2
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
1
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
C
CE
/I
B
= 2 V.
= 20.
CE(sat)
1
1
(1)
(2)
(3)
(2)
NPN/PNP transistor
10
10
(1)
(3)
10
10
2
2
I C (mA)
I C (mA)
MLD687
MLD691
10
10
3
3
5
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V BEsat
TR1 (NPN) V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
TR1 (NPN) I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
(mV)
(mV)
V BE
1200
1000
1200
1000
800
600
400
200
800
600
400
200
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
C
CE
/I
B
= 2 V.
= 20.
1
1
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
PBSS2515YPN
Product specification
10
10
2
2
I C (mA)
I C (mA)
MLD689
MLD690
10
10
3
3