pbss5320t NXP Semiconductors, pbss5320t Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: pbss5320t
• Description: 20 V, 3 A Pnp Low Vcesat Biss Transistor
• Manufacturer: NXP Semiconductors

Philips Semiconductors
2004 Jan 15
handbook, halfpage
handbook, halfpage
20 V, 3 A
PNP low V
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
V BEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
C
(mV)
CE
/I
1000
h FE
1400
1000
B
800
600
400
200
600
200
= 2 V.
= 10.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
10
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
1
1
CEsat
10
10
(BISS) transistor
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
2
2
10
10
I C (mA)
3
I C (mA)
3
MLD876
MLD878
10
10
4
4
5
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V BEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
C
(mV)
CE
/I
(mV)
1200
V BE
1400
1000
B
800
400
600
200
= 2 V.
= 20.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
1
1
10
10
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
2
2
PBSS5320T
Product specification
10
10
I C (mA)
3
I C (mA)
3
MLD877
MLD879
10
10
4
4