PHMB200B12_1 NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation], PHMB200B12_1 Datasheet
PHMB200B12_1
Manufacturer Part Number
PHMB200B12_1
Description
200A 1200V
Manufacturer
NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]
Datasheet
1.PHMB200B12_1.pdf
(3 pages)
IGBT
□ 回 路 図 :
□ 最 大 定 格 :
□ 電 気 的 特 性 :
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
□ 熱 的 特 性 :
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
接
Junction Temperature Range
保
Storage Temperature Range
絶
Isolation Voltage
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
順
Forward Current
順
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
Reverse Recovery Time
熱
Thermal Impedance
(E)
4
(G)
3
縁
力
合
存
電
抵
電
耐
容
CIRCUIT
(E)
温
温
Module-Single
2
Characteristic
Characteristic
Characteristic
圧
抗
MAXIMUM RATINGS
圧(Terminal to Base AC,1minute)
量
流
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL CHARACTERISTICS
度
度
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
上 昇 時 間 Rise
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall
ターンオフ時間 Turn-off Time
Item
Item
(C)
FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
1
IGBT
1ms
1ms
Diode
DC
DC
(T
Time
Time
200 A, 1200V
C
=25℃)
日本インター株式会社
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
V
Rth(j-c)
4 - Ø6.5
2 -M6
V
□ 外 形 寸 法 図 :
CE(sat)
V
V
T
V
F
I
I
C
t
GE(th)
I
t
I
t
I
P
T
t
t
I
V
2 -M4
CES
GES
stg
ISO
tor
CES
GES
ies
off
CP
on
FM
rr
C
C
j
r
f
F
F
(T
V
V
I
V
V
V
R
R
V
I
I
di/dt= 400A/μs
Junction to Case
C
Test Condition
Test Condition
Test Condition
CE
GE
C
CE
CE
CC
L
G
GE
F
F
= 3Ω
= 2Ω
=25℃)
= 200A,V
= 200A,V
= 200A,V
M4
M6
24
= 1200V,V
= ±20V,V
= 5V,I
= 10V,V
= 600V
= ±15V
4
11
9
3
OUTLINE DRAWING
20
C
LABEL
GE
GE
GE
= 200mA
GE
2
GE
CE
108
= 15V
= 0V
= -10V
= 0V,f= 1MH
93
= 0V
= 0V
29
Rated Value
Rated Value
-40~+150
-40~+125
1
1.4(14.3)
1,200
2,500
Z
3(30.6)
3(30.6)
±20
200
400
960
200
400
PHMB200B12
Min.
Min.
Min.
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
QS043-401M0052 (2/4)
Typ.
0.25
0.40
0.25
0.80
Typ.
Typ.
16,600
1.9
1.9
0.2
-
-
-
-
-
0.125
(T
Max.
0.45
0.70
0.35
1.10
Max.
Max.
0.24
4.0
1.0
2.4
8.0
2.4
0.3
-
Dimension:[mm]
C
=25℃)
Unit
(kgf・cm)
Unit
Unit
Unit
Unit
V
N・m
℃/W
mA
μA
pF
μs
μs
(RMS)
V
V
A
W
℃
℃
V
V
A
V
Related parts for PHMB200B12_1
PHMB200B12_1 Summary of contents
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IGBT Module-Single CIRCUIT □ 回 路 図 : (E) (C) ( (G) 3 MAXIMUM RATINGS □ 最 大 定 格 : Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Gate-Emitter Voltage コ ...
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Fig.1- Output Characteristics 400 V =20V 12V GE 15V 300 200 100 Collector to Emitter Voltage V Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage 16 I =100A C 14 200A 12 ...
Page 3
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 V =600V CC I =200A =±15V GE T =25℃ 0.5 0.2 0.1 0. Series Gate Impedance R Fig.9- Reverse Recovery Characteristics ...