tb62208fng TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tb62208fng Datasheet - Page 21

• Manufacturer Part Number: tb62208fng
• Description: Bicd??? 2??????????????????? Ic
• Manufacturer: TOSHIBA Semiconductor CORPORATION

VM
応用回路例
注:
GND配線は、できる限り 1 点接地になると共に放熱設計を考慮したパターンになるように設計してください。
各モードなどの設定端子をSWで制御する場合、ハイインピーダンスにならないようにプルダウンもしくは
プルアップしてください。
入力するデータに関しましては、ファンクションの項目をご参照の上、入力してください。
各素子のところにある数値は推奨値です。各入力条件の数値につきましては、前述の動作条件をご確認ください。
出力間のショート、および出力の天絡、地絡時に IC の破壊の恐れがありますので、出力ライン、V
イン、GND ラインの設計は十分注意してください。また、回転挿しをした場合、低耐圧素子に高耐圧がかか
る等により破壊することが考えられますので、十分注意して実装してください。また、この製品には、過電圧
検出の回路は搭載しておりません。 したがって、 Spec 以上の過剰な電圧が印加された場合、 IC が破壊します。
電源は、必ず Spec の範囲内でお使いいただけますようお願いいたします。
応用回路例は、参考例であり、量産設計に際しては、十分な評価を行ってください。
また、工業所有権の使用の許諾を行うものではありません。
回路内の部品は、特性確認のために使用しているものであり、応用機器の誤動作や故障が発生しない
ことを保証するものではありません。
3.6kΩ
必要に応じて、バイパスコンデンサの追加をお願いします。
Vref
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
1
270pF
2
3
4
5
6
0.1μF
7
8
0.1μF
9
10
11
100μF
12
21
13
14
0.22Ω
0.22Ω
15 16 17 18 19
20
21
22
23
TB62208FNG
DD
24
(V
M
2010-07-08
) ラ
M