PBSS4350T Philips Semiconductors, PBSS4350T Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: PBSS4350T
• Description: NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2004 Jan 09
handbook, halfpage
handbook, halfpage
50 V; 3 A NPN low V
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
V BEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
C
(mV)
CE
/I
1000
h FE
1300
B
800
600
400
200
900
500
100
= 2 V.
= 10.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
10
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
1
1
10
10
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
2
CEsat
2
10
10
(BISS) transistor
3
3
I C (mA)
I C (mA)
MLD867
MLD869
10
10
4
4
5
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V BEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
C
(mV)
CE
/I
(mV)
1200
V BE
1300
B
800
400
900
500
100
= 2 V.
= 20.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
1
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
1
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
10
10
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
2
2
PBSS4350T
Product specification
10
10
3
3
I C (mA)
I C (mA)
MLD868
MLD870
10
10
4
4