PBSS4160V Philips Semiconductors, PBSS4160V Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: PBSS4160V
• Description: NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
9397 750 14359
Product data sheet
Fig 3. DC current gain as a function of collector
Fig 5. Collector-emitter saturation voltage as a
V
CEsat
(1) T
(2) T
(3) T
(V)
(1) T
(2) T
(3) T
h
10
10
10
800
600
400
200
FE
10
0
1
1
2
3
10
V
current; typical values
I
function of collector current; typical values
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
1
B
= 5 V
= 10
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 100 C
= 25 C
= 55 C
1
1
(2)
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(3)
10
10
2
2
10
10
3
I
3
C
I
C
(mA)
mle130
(mA)
mle135
Rev. 02 — 31 January 2005
10
10
4
4
Fig 4. Base-emitter voltage as a function of collector
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
CEsat
(V)
V
10
10
(V)
BE
1.2
0 8
0 4
0
1
10
10
1
2
V
current; typical values
I
function of collector current; typical values
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
1
B
60 V, 1 A NPN low V
= 5 V
= 20
= 55 C
= 25 C
= 100 C
= 100 C
= 25 C
= 55 C
1
1
10
10
(1)
(3)
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
(2)
10
10
PBSS4160V
(1)
(2)
(3)
2
2
CEsat
10
10
(BISS) transistor
3
3
I
I
C
C
mle133
mle104
(mA)
(mA)
10
10
4
4
6 of 14