FSS133 Sanyo Semiconductor Corporation, FSS133 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: FSS133
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

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Switching Time Test Circuit
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
50
40
30
20
10
0
0
0
0
I D = --2A
Parameter
PW=10 s
D.C. 1%
--4V
--0.1
0V
P.G
--2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
--8A
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
V IN
R DS (on) -- V GS
--0.2
I D -- V DS
V IN
--4
50Ω
G
--0.3
--6
Symbol
V DD = --10V
t d (on)
t d (off)
Coss
--0.4
Crss
V SD
Ciss
Qgs
Qgd
D
Qg
t r
t f
S
I D = --8A
R L =1.25Ω
V GS = --1.0V
--8
--0.5
FSS133
Ta=25°C
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -8A
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -8A
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -8A
I S =--8A, V GS =0
IT03066
IT03068
V OUT
--0.6
--10
FSS133
Conditions
--16
--14
--12
--10
--8
--6
--4
--2
60
50
40
30
20
10
0
0
--60
0
V DS = --10V
--40
--0.2
--20
--0.4
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- °C
0
--0.6
min
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
--0.8
40
--1.0
Ratings
typ
2900
--0.8
60
570
370
250
130
180
27
65
--1.2
4
8
80
--1.4
max
100
--1.5
--1.6
120
No.6919-2/4
--1.8 --2.0
140 160
IT03069
Unit
IT03067
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V