T860N Infineon Technologies, T860N Datasheet
T860N
Specifications of T860N
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T860N Summary of contents
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... Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann T860N T = -40°C... max Elektrische Eigenschaften T = -40°C... max T = +25°C... T ...
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... Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann T860N Thermische Eigenschaften vj vj max 100 / V/µs, - ...
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... N Datenblatt / Data sheet Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Massbild 1 IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann T860N 1: Anode / Anode Kathode / Cathode 2 4: Gate 5: Hilfskathode/ A 14/09 Auxiliary Cathode Seite/page 3/10 ...
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... R [°C/W] thn kathodenseitig cathode-sided [s] n Analytische Funktion / Analytical function: 0,05 0,04 0,03 0,02 0,01 0,00 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann T860N 0,0006 0,00205 0,00094 0,0014 0,01020 0,07770 0,00075 0,00214 0,00544 0,00164 0,01230 0,17400 0,00079 0,002 0,00551 0,00170 ...
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... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann T860N Durchlasskennlinie ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° 0,00176 0,00287 0,00373 0,00121 0,00172 0,00242 ...
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... Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann T860N Durchlassverluste 60° 180° θ = 30° 400 600 800 I [A] TAV Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current θ ...
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... Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann T860N Tc 180° 120° 180° 90° 60° 1000 1500 I [A] TAV Rechteckförmiger Strom / Rectangular current 60° ...
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... Phase Control Thyristor 10 1 0,1 10 Steuercharakteristik v Gate characteristic v Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P 10000 1000 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann T860N Steuerkennlinie i [mA] 100 mit Zündbereichen fü with triggering area for Zü ...
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... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann T860N Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves von der Anzahl fü ...
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... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann T860N A 14/09 Seite/page 10/10 ...