DZ950N Infineon Technologies, DZ950N Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: DZ950N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of DZ950N

• Vdrm/ Vrrm (v): 3,600.0 - 4,400.0 V
• Ifsm (max): 29,000.0 A
• Ifavm/tc: 950/100 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 70 mm
• Features: Rectifier Diode

BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther
N
0,150
0,150
0,150
0,150
0,150
0,150
Rectifier Diode Module
0,150
0,150
0,150
0,150
0,150
6000
5000
4000
3000
2000
1000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
0,150
1000
Netz-Dioden-Modul
0
0
0
0
0,150
0,015
0,025
0,035
0,045
0,060
0,080
0,015
0,025
0,035
0,045
0,060
0,080
0,150
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
20
20
0,010
40
40
0,010
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
T
60
60
Maximaler Strom bei B2 und B6
A
[°C]
T
A
R
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
R
[°C]
thCA
Datenblatt / Data sheet
thCA
80
80
[°C/W]
[°C/W]
3~
100
100
~
B6
A22/00
B2
120
120
DZ950N
I
D
I
D
Parameter:
Parameter:
+
-
+
-
140
140
0
0
500
500
1000
1000
I
D
[A]
1500
I
D
R-Last
[A]
D
D
tot
tot
1500
Seite/page
2000
L-Last
thCA
thCA
2000
2500
7/9