DZ950N Infineon Technologies, DZ950N Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: DZ950N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of DZ950N

• Vdrm/ Vrrm (v): 3,600.0 - 4,400.0 V
• Ifsm (max): 29,000.0 A
• Ifavm/tc: 950/100 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 70 mm
• Features: Rectifier Diode

BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther
N
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Gewicht
weight
Rectifier Diode Module
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Netz-Dioden-Modul
Mechanische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
A22/00
DZ950N
f = 50 Hz
file-No.
Toleranz ±15%
Toleranz ±10%
M1
M2
G
Seite/page
typ.
E 83336
Seite 3
page 3
2750 g
AlN
18
64 mm
50 m/s²
6
Nm
Nm
2/9