TZ800N Infineon Technologies, TZ800N Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: TZ800N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of TZ800N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,200.0 - 1,800.0 V
• Itsm: 30,000.0 A
• Itavm/tc: 800/85 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 70 mm
• Features: Single SCR Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther
N
2500
2000
1500
1000
500
6000
5000
4000
3000
2000
1000
Netz-Thyristor-Modul
0
0
0
0
0,10
0,03
0,04
0,08
0,15
0,20
0,30
0,40
0,60
0,06
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
0,015
0,02
0,025
0,03
0,04
0,06
0,10
0,15
0,20
0,40
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient R
20
20
0,02
0,01
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
40
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
40
Maximaler Strom bei W1C und W3C
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
T
0,01
A
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
[°C]
R
60
thCA
60
[°C/W]
T
R
A
Datenblatt / Data sheet
thCA
[°C]
[°C/W]
80
80
~
~
A 15/00
100
W 3C
100
~
~
W 1C
~
~
~
~
I
RMS
I
RMS
Parameter:
Parameter:
TZ800N
120
120
0
0
500
500
1000
1000
I
I
RMS
RMS
RMS
RMS
[A]
tot
tot
[A]
1500
Seite/page
1500
thCA
thCA
2000
9/12
2000