TZ800N Infineon Technologies, TZ800N Datasheet

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TZ800N

Manufacturer Part Number
TZ800N
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet
1.TZ800N.pdf (13 pages)

Specifications of TZ800N

Vdrm/ Vrrm (v)
1,200.0 - 1,800.0 V
Itsm
30,000.0 A
Itavm/tc
800/85 (180° el sin)
Housing
PowerBLOCK 70 mm
Features
Single SCR Phase Control

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TZ800N12
Quantity:
1 000
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TZ800N12KOF
Manufacturer:
INFINEON
Quantity:
120
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TZ800N14KOF
Manufacturer:
MITSUBISHI
Quantity:
228
Company:
Meier Automation Equipment Co., Limited Meier Automation Equipment Co., Limited
Part Number:
TZ800N14KOF
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
20 000
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TZ800N16
Manufacturer:
Sanrex
Quantity:
1 000
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TZ800N16KOF
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Phase Control Thyristor Module
BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther
N
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Zündverzug
gate controlled delay time
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
approved by: J. Novotny
prepared by: C.Drilling
Netz-Thyristor-Modul
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
A 15/00
TZ800N
T
T
T
T
T
T
T
T
T
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
T
6.Kennbuchstabe / 6
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
v
DIN IEC 747-6
T
T
i
D
GM
vj
vj
vj
C
C
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
= V
= 25 °C,i
= -40°C... T
= -40°C... T
= +25°C... T
= 85°C
= 75°C
= 25 °C, t
= T
= 25 °C, t
= T
= T
= T
= T
= T
= 25°C, v
= 25°C, v
= T
= T
= T
= 25°C, v
= T
date of publication:
= 25°C, v
= 1 A, di
DRM
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
, v
, t
, t
, v
GM
, i
, v
, v
, v
GM
R
D
D
D
G
P
P
D
T
P
P
D
D
D
D
/dt = 1 A/µs, t
= V
= 1 A, di
= 6 V
= 6 V
= 6 V, R
revision:
= 10 ms
= 10 ms
= 3000 A
= 10 ms
= 10 ms
= 0,67 V
= 1 A, di
vj max
vj max
= 6 V, R
vj max
= 6 V
= 0,5 V
= 0,5 V
RRM
th
TZ800N
G
letter F
DRM
DRM
A
GK
G
DRM
/dt = 1 A/µs
= 2 Ω
/dt = 1 A/µs
≥ 10 Ω
17.03.03
g
= 20 µs
1
V
V
V
I
I
I
I²t
(di
(dv
v
V
r
I
V
I
V
I
I
i
t
D
TRMSM
TAVM
TSM
GT
GD
H
L
gd
T
T
DRM
DSM
RSM
(TO)
GT
GD
, i
T
D
R
/dt)
/dt)
,V
cr
RRM
cr
1200
1600
1200
1600
1300
1700
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
6.125.000
4.500.000
35.000
30.000
1400
1800
1400
1800
1500
1900
1500 A
1000 V/µs
2500 mA
0,85 V
0,17 mΩ
800
955
200 A/µs
250 mA
500 mA
150 mA
1,5 V
0,2 V
10
2 V
5
4 µs
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A²s
A²s
mA
mA
1/12

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Image
Part Number
Description
Manufacturer
Datasheet
Request R
BFP620
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Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP620.pdf (7 pages)
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BG3123R
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Manufacturer:
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Datasheet:
BG3123R.pdf (8 pages)
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BG3130
Description:
Manufacturer:
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Datasheet:
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Manufacturer:
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Datasheet:
BG3130R.pdf (6 pages)
BG3230
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BG3230
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BG3230.pdf (6 pages)
BGA428
Part Number:
BGA428
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BGA428.pdf (9 pages)
BGA616
Part Number:
BGA616
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BGA616.pdf (8 pages)
SAB-C167CR-LM
Part Number:
SAB-C167CR-LM
Description:
16-bit microcontroller with 2x2 KByte RAM
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
SAB-C167CR-LM.pdf (74 pages)
BFP182W
Part Number:
BFP182W
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP182W.pdf (7 pages)
BFP193W
Part Number:
BFP193W
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP193W.pdf (7 pages)
BFP450
Part Number:
BFP450
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP450.pdf (10 pages)
BFP520
Part Number:
BFP520
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP520.pdf (9 pages)
BGA420
Part Number:
BGA420
Description:
Si-MMIC-amplifier in SIEGET 25-technologie
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BGA420.pdf (8 pages)
BSM20GD60DN2
Part Number:
BSM20GD60DN2
Description:
IGBT Power Module
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BSM20GD60DN2.pdf (9 pages)
TDA4716C
Part Number:
TDA4716C
Description:
IC for switching-mode power supplies
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
TDA4716C.pdf (17 pages)

TZ800N Summary of contents

Page 1

... A/µ max DRM R RRM DIN IEC 747 °C date of publication: revision: A 15/00 TZ800N 1200 1400 V ,V DRM RRM 1600 1800 1200 1400 V DSM 1600 1800 1300 1500 V RSM 1700 1900 1500 A I TRMSM ...

Page 2

... Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet TZ800N ...

Page 3

... N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module Maßbild Maßbild Maßbild BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet TZ800N 15/00 1 Seite/page 3/12 ...

Page 4

... R [°C/W] 0,00214 thn τ [s] 9,89 n Analytische Funktion / Analytical function: BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet TZ800N 0,00267 0,00866 0,02313 0,0188 0,30347 4,994 Verstärkte Kühlung / Forced cooling 1 Module pro Kühlkörper / 1 modules per heatsink Kühlkörper / Heatsink type: KW70 (4 l/min.) ...

Page 5

... Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet TZ800N 180° 0 [s] Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current 180° 0 0,1 t [s] Rechteckfö ...

Page 6

... Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Berechnungsgrundlage P Calculation base P BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet TZ800N 180° 30° 400 Strombelastung je Zweig / Current load per arm (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) TAV (switching losses should be considered separately) TAV Parameter: Stromfluß ...

Page 7

... Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Berechnungsgrundlage P Calculation base P Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet TZ800N 60° 30° 400 I [A] TAVM Strombelastung je Zweig / Current load per arm (Schaltverluste gesondert berü ...

Page 8

... T [°C] A Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet TZ800N [°C/W] D thCA + ~ - ...

Page 9

... Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet TZ800N [°C/W] thCA ~ ...

Page 10

... Steuercharakteristik v Gate characteristic v Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated 1000 100 10 1 0,1 10 BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet TZ800N Steuercharakteristik i [mA] 100 mit Zündbereichen fü with triggering area for W/10ms W/1ms W/0,5ms Zü ...

Page 11

... Phase Control Thyristor Module 10000 1000 100 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q 20.000 15.000 10.000 5.000 0 0,01 Grenzstrom / Maximum overload on-state current I BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet TZ800N Sperrverzögerungsladung ≤ 0 vjmax R RRM RM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i Grenzstrom ...

Page 12

... B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular Kühlkörper / Heatsink type KW70 ( 4l/min. ) Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I BIP AC / BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rüther Datenblatt / Data sheet TZ800N Überstrom I = TAV (vor 400 A 650 A 800 A ...

Page 13

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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