PTMB100B12 Nihon Inter Electronics (NIEC), PTMB100B12 Datasheet
![no-image](/images/manufacturer_photos/0/4/476/nihon_inter_electronics__niec__sml.jpg)
PTMB100B12
Manufacturer Part Number
PTMB100B12
Description
Manufacturer
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet
1.PTMB100B12.pdf
(3 pages)
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
PTMB100B12
Manufacturer:
NIEC
Quantity:
1 000
Part Number:
PTMB100B12
Quantity:
60
Company:
Part Number:
PTMB100B12C
Manufacturer:
SanRex
Quantity:
1 000
Part Number:
PTMB100B12C
Quantity:
60
IGBT
□ 回 路 図 :
□ 最 大 定 格 :
□ 電 気 的 特 性 :
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
□ 熱 的 特 性 :
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
接
Junction Temperature Range
保
Storage Temperature Range
絶
Isolation Voltage
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
順
Forward Current
順
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
Reverse Recovery Time
熱
Thermal Impedance
3
1
縁
力
合
存
5
電
抵
電
10
11
8
9
耐
容
CIRCUIT
温
温
Module-Six-Pack
Characteristic
Characteristic
Characteristic
圧
抗
MAXIMUM RATINGS
圧(Terminal to Base AC,1minute)
量
流
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL CHARACTERISTICS
6
度
度
12
13
14
15
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
上 昇 時 間 Rise
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall
ターンオフ時間 Turn-off Time
Item
Item
7
16
17
18
19
FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
IGBT
1ms
1ms
Diode
DC
DC
(T
Time
Time
2
4
100 A,1200V
C
=25℃)
日本インター株式会社
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
V
Rth(j-c)
V
CE(sat)
V
V
T
V
F
I
I
C
t
GE(th)
I
t
I
t
□ 外 形 寸 法 図 :
I
P
T
t
t
I
V
CES
GES
stg
ISO
tor
CES
GES
ies
off
CP
on
FM
rr
C
C
j
r
f
F
F
4-Ø5.5
7-M4
(T
V
V
I
V
V
V
R
R
V
I
I
di/dt= 200A/μs
Junction to Case
C
Test Condition
Test Condition
Test Condition
CE
GE
C
CE
CE
CC
L
G
GE
F
F
= 6Ω
= 10Ω
=25℃)
= 100A,V
= 100A,V
= 100A,V
8 9
4.5
= 1200V,V
= ±20V,V
= 5V,I
= 10V,V
= 600V
= ±15V
1
3
18.5
10
10 11
4.5
5
10
C
18.5
GE
GE
GE
= 100mA
GE
OUTLINE DRAWING
12 13
4.5
LABEL
GE
CE
= 15V
= 0V
= -10V
= 0V,f= 1MH
10
80
94
6
8
= 0V
= 0V
14 15
18.5
4.5
Rated Value
Rated Value
10
7
16 17
4.5
1.4(14.3)
18.5
-40~+150
-40~+125
10
1,200
2(20.4)
2,500
18 19
4.5
Z
2
4
±20
100
200
500
100
200
12-fasten tab
PTMB100B12
#110
Min.
Min.
Min.
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ.
0.25
0.40
0.25
0.80
Typ.
Typ.
1.9
8,300
1.9
0.2
-
-
-
-
-
(T
Max.
0.45
0.70
0.35
1.10
Max.
Max.
0.24
0.42
2.0
1.0
2.4
8.0
2.4
0.3
-
C
Dimension:[mm]
=25℃)
Unit
(kgf・cm)
Unit
Unit
Unit
Unit
V
N・m
℃/W
mA
μA
pF
μs
μs
(RMS)
V
V
A
W
℃
℃
V
V
A
V
Related parts for PTMB100B12
PTMB100B12 Summary of contents
Page 1
IGBT Module-Six-Pack CIRCUIT □ 回 路 図 : MAXIMUM RATINGS □ 最 大 定 格 : Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲ ー ト・エ ...
Page 2
Fig.1- Output Characteristics 200 V =20V 12V GE 15V 150 100 Collector to Emitter Voltage V Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage 16 I =50A C 14 100A 12 ...
Page 3
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 V =600V CC I =100A =±15V GE T =25℃ 0.5 0.2 0.1 0. Series Gate Impedance R Fig.9- Reverse Recovery Characteristics 500 ...