PTMB100B12 Nihon Inter Electronics (NIEC), PTMB100B12 Datasheet
PTMB100B12
Manufacturer Part Number
PTMB100B12
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Manufacturer
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet
1.PTMB100B12.pdf
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Company:
Part Number:
PTMB100B12
Manufacturer:
NIEC
Quantity:
1 000
Part Number:
PTMB100B12
Quantity:
60
Company:
Part Number:
PTMB100B12C
Manufacturer:
SanRex
Quantity:
1 000
Part Number:
PTMB100B12C
Quantity:
60
ＩＧＢＴ
□ 回 路 図 ：
□ 最 大 定 格 ：
□ 電 気 的 特 性 ：
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
□ 熱 的 特 性 ：
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
絶
Ｉsolation Ｖoltage
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
入
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
順
Ｆorward Ｃurrent
順
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
熱
Ｔhermal Ｉmpedance
3
1
縁
力
合
存
5
電
抵
電
10
11
8
9
耐
容
ＣＩＲＣＵＩＴ
温
温
Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｘ－Ｐａｃｋ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
圧
抗
ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
量
流
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
6
度
度
12
13
14
15
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
上 昇 時 間 Ｒise
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime
下 降 時 間 Ｆall
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime
Ｉｔｅｍ
Ｉｔｅｍ
7
16
17
18
19
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
ＩＧＢＴ
１ｍｓ
１ｍｓ
Ｄiode
ＤＣ
ＤＣ
（Ｔ
Ｔime
Ｔime
2
4
１００ Ａ，１２００Ｖ
Ｃ
＝２５℃）
日本インター株式会社
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｖ
Ｒth(j-c)
Ｖ
ＣＥ（ｓａｔ）
Ｖ
Ｖ
Ｔ
Ｖ
Ｆ
Ｉ
Ｉ
Ｃ
ｔ
ＧＥ（ｔｈ）
Ｉ
ｔ
Ｉ
ｔ
□ 外 形 寸 法 図 ：
Ｉ
Ｐ
Ｔ
ｔ
ｔ
Ｉ
Ｖ
ＣＥＳ
ＧＥＳ
ｓｔｇ
ＩＳＯ
ｔｏｒ
ＣＥＳ
ＧＥＳ
ｉｅｓ
ｏｆｆ
ＣＰ
ｏｎ
ＦＭ
ｒｒ
Ｃ
Ｃ
ｊ
ｒ
ｆ
Ｆ
Ｆ
4-Ø5.5
7-M4
（Ｔ
Ｖ
Ｖ
Ｉ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｒ
Ｒ
Ｖ
Ｉ
Ｉ
ｄi/ｄt= 200A/μs
Junction to Case
Ｃ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＣＥ
ＧＥ
Ｃ
ＣＥ
ＣＥ
ＣＣ
L
G
ＧＥ
Ｆ
Ｆ
= 6Ω
= 10Ω
＝２５℃）
= 100A,Ｖ
= 100A,Ｖ
= 100A,Ｖ
8 9
4.5
= 1200V,Ｖ
= ±20V,Ｖ
= 5V,Ｉ
= 10V,Ｖ
= 600V
= ±15V
1
3
18.5
10
10 11
4.5
5
10
Ｃ
18.5
ＧＥ
ＧＥ
ＧＥ
= 100mA
ＧＥ
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
12 13
4.5
LABEL
ＧＥ
ＣＥ
= 15V
= 0V
= -10V
= 0V,ｆ= 1MH
10
80
94
6
8
= 0V
= 0V
14 15
18.5
4.5
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
10
7
16 17
4.5
１.４（１４.３）
18.5
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
10
１，２００
２（２０.４）
２,５００
18 19
4.5
Ｚ
2
4
±２０
１００
２００
５００
１００
２００
12-fasten tab
ＰＴＭＢ１００Ｂ１２
#110
Ｍｉｎ.
Ｍｉｎ.
Ｍｉｎ.
４.０
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
Ｔｙｐ.
０.２５
０.４０
０.２５
０.８０
Ｔｙｐ.
Ｔｙｐ.
１.９
8,300
１.９
０.２
－
－
－
－
－
（Ｔ
Ｍａｘ.
０.４５
０.７０
０.３５
１.１０
Ｍａｘ.
Ｍａｘ.
０.２４
０.４２
２.０
１.０
２.４
８.０
２.４
０.３
－
Ｃ
Dimension:［mm］
＝２５℃）
Ｕｎｉｔ
(kgf･cm)
Ｕｎｉｔ
Ｕｎｉｔ
Ｕｎｉｔ
Ｕｎｉｔ
Ｖ
Ｎ・ｍ
℃／Ｗ
ｍＡ
μＡ
ｐＦ
μｓ
μｓ
（ＲＭＳ）
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｖ
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Description
Manufacturer
Datasheet
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R
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DIODE MODULE 150A/1200V/1600V
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Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
Description:
THYRISTOR MODULE
Manufacturer:
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
Description:
THYRISTOR MODULE 50A / 1600V
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Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
Description:
FRD MODULE 50A/200Vtrr:80nsec
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Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
Description:
FRD MODULE 50A/500V/trr:90nsec
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Nihon Inter Electronics (NIEC)
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Part Number:
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100Avg, 200 Volts
Manufacturer:
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
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FRD MODULE 50A/400V/TRR:80NSEC
Manufacturer:
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
Description:
IGBT MODULE Chopper 200A 1200V
Manufacturer:
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
Description:
DIODE
Manufacturer:
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
Description:
DIODE MODULE 100A/1200 to 1600V
Manufacturer:
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
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DIODE MODULE 50A/800V
Manufacturer:
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
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Manufacturer:
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
Part Number:
Description:
THYRISTOR MODULE
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Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet:
PTMB100B12 Summary of contents
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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｘ－Ｐａｃｋ ＣＩＲＣＵＩＴ □ 回 路 図 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ □ 最 大 定 格 ： Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ...
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Fig.1- Output Characteristics 200 V =20V 12V GE 15V 150 100 Collector to Emitter Voltage V Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage 16 I =50A C 14 100A 12 ...
Page 3
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 V =600V CC I =100A =±15V GE T =25℃ 0.5 0.2 0.1 0. Series Gate Impedance R Fig.9- Reverse Recovery Characteristics 500 ...