PRHMB200B12A Nihon Inter Electronics (NIEC), PRHMB200B12A Datasheet

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PRHMB200B12A

Manufacturer Part Number
PRHMB200B12A
Description
IGBT MODULE Chopper 200A 1200V
Manufacturer
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
PRHMB200B12A
Quantity:
60
IGBT
□ 最 大 定 格 :
□ 電 気 的 特 性 :
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
□ 熱 的 特 性 :
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Isolation Voltage
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
Forward Current
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
Reverse Recovery Time
Thermal Impedance
回 路 図 :
(C2E1)
1
Module-Chopper
Characteristic
Characteristic
Characteristic
CIRCUIT
MAXIMUM RATINGS
圧(Terminal to Base AC,1minute)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL CHARACTERISTICS
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
上 昇 時 間 Rise
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall
ターンオフ時間 Turn-off Time
(E2)
Item
Item
2
FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
IGBT
1ms
1ms
Diode
DC
DC
(C1)
3
(T
Time
Time
200 A,1200V
=25℃)
7(G2)
6(E2)
日本インター株式会社
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
Rth(j-c)
□ 外 形 寸 法 図 :
CE(sat)
GE(th)
CES
GES
stg
ISO
tor
CES
GES
ies
off
CP
on
FM
rr
(T
di/dt= 400A/μs
Junction to Case
Test Condition
Test Condition
Test Condition
CE
GE
CE
CE
CC
L
G
GE
= 3Ω
= 2Ω
=25℃)
3-M5
= 200A,V
= 200A,V
= 200A,V
= 1200V,V
= ±20V,V
= 5V,I
= 10V,V
= 600V
= ±15V
OUTLINE DRAWING
12.0
14
1
GE
GE
GE
= 200mA
GE
GE
CE
= 15V
= 0V
= -10V
= 0V,f= 1MH
23.0
11.0
= 0V
= 0V
9
LABEL
Rated Value
Rated Value
94.0
80
12.0
14
2
±0.25
PRHMB200B12A
-40~+150
-40~+125
23.0
11.0
1,200
2,500
3(30.6)
2(20.4)
9
12.0
±20
200
400
960
200
400
14
3
17.0
Min.
Min.
Min.
4.0
7
6
4-fasten tab
#110 t=0.5
2-Ø6.5
Typ.
0.25
0.40
0.25
0.80
Typ.
Typ.
16,600
1.9
1.9
0.2
0.125
(T
Max.
0.45
0.70
0.35
1.10
Max.
Max.
0.24
4.0
1.0
2.4
8.0
2.4
0.3
Dimension:[mm]
=25℃)
Unit
(kgf・cm)
Unit
Unit
Unit
Unit
N・m
℃/W
mA
μA
pF
μs
μs
(RMS)

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PRHMB200B12A Summary of contents

Page 1

IGBT Module-Chopper CIRCUIT □ 回 路 図 : (C2E1) (E2 MAXIMUM RATINGS □ 最 大 定 格 : Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Gate-Emitter Voltage コ レ ク タ 電 ...

Page 2

Fig.1- Output Characteristics 400 V =20V 12V GE 15V 300 200 100 Collector to Emitter Voltage V Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage 16 I =100A C 14 200A 12 ...

Page 3

Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 V =600V CC I =200A =±15V GE T =25℃ 0.5 0.2 0.1 0. Series Gate Impedance R Fig.9- Reverse Recovery Characteristics ...

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