MJE18004G ON Semiconductor, MJE18004G Datasheet - Page 2

MJE18004G

Manufacturer Part Number

MJE18004G

Description

TRANS POWER NPN 5A 450V TO220AB

Manufacturer

ON Semiconductor

Series

SWITCHMODE™r

Datasheet

1.MJE18004G.pdf (11 pages)

Specifications of MJE18004G

Transistor Type

NPN

Current - Collector (ic) (max)

Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)

450V

Vce Saturation (max) @ Ib, Ic

750mV @ 500mA, 2.5A

Current - Collector Cutoff (max)

100µA

Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce

14 @ 300mA, 5V

Power - Max

75W

Frequency - Transition

13MHz

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3 (Straight Leads)

Transistor Polarity

NPN

Mounting Style

Through Hole

Collector- Emitter Voltage Vceo Max

450 V

Emitter- Base Voltage Vebo

9 V

Maximum Dc Collector Current

5 A

Power Dissipation

75 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Continuous Collector Current

5 A

Dc Collector/base Gain Hfe Min

Maximum Operating Frequency

13 MHz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Other names

MJE18004GOS

Available stocks

Company

Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

MJE18004G

Manufacturer:

ON-SEMI

Quantity:

162

Company:

Meier Automation Equipment Co., Limited

Part Number:

MJE18004G

Manufacturer:

ON/安森美

Quantity:

20 000

Current page: 2 of 11
Download datasheet (226Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

OFF CHARACTERISTICS

ON CHARACTERISTICS

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Collector−Emitter Sustaining Voltage (I

Collector Cutoff Current (V

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current (V

Base−Emitter Saturation Voltage (I

Base−Emitter Saturation Voltage

Collector−Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain (I

DC Current Gain

Current Gain Bandwidth (I

Output Capacitance (V

Input Capacitance (V

Dynamic Saturation Voltage:

Determined 1.0 ms and

3.0 ms respectively after

rising I

final I

(see Figure 18)

= 1.0 Adc, I

= 2.0 Adc, I

= 2.5 Adc, I

reaches 90% of

= 0.1 Adc)

= 0.4 Adc)

= 0.5 Adc)

= 1.0 Adc, V

= 0.3 Adc, V

= 2.0 Adc, V

= 10 mAdc, V

= 8.0 V)

= 10 Vdc, I

= 9.0 Vdc, I

= 0.5 Adc, V

Î Î Î Î Î

Characteristic

= Rated V

= 800 V, V

= 1.0 Adc, I

= 2.0 Adc, I

= 2.5 Vdc)

= 5.0 Vdc)

= 1.0 Vdc)

= 100 mAdc

= 400 mAdc

= 5.0 Vdc)

= 1.0 Adc

= 2.0 Adc

= 0, f = 1.0 MHz)

= 300 V)

CEO

CES

= 100 mA, L = 25 mH)

= 0)

, V

= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)

, I

= 25_C unless otherwise specified)

Î Î Î Î

= 0)

= 0.1 Adc)

= 0.4 Adc)

1.0 ms

3.0 ms

1.0 ms

3.0 ms

http://onsemi.com

Î Î Î Î Î

= 25_C)

= 125_C)

= 125°C)

Î Î Î Î

Symbol

CEO(sus)

CE(dsat)

BE(sat)

CE(sat)

CEO

CES

EBO

Î Î Î Î

Min

450

6.0

−

Î Î Î

0.82

0.92

0.25

0.29

0.36

11.3

15.5

Typ

800

0.3

0.5

7.5

6.8

2.4

5.6

1.3

6.1

−

Î Î Î Î

1000

Max

1.25

0.45

0.75

100

500

100

1.1

0.5

0.6

0.8

−

Î Î Î

mAdc

MHz

Unit

Vdc

−

MJE18004G ON Semiconductor, MJE18004G Datasheet - Page 2

MJE18004G

Specifications of MJE18004G

Available stocks

Related parts for MJE18004G