FF800R17KE3_B2 Infineon Technologies, FF800R17KE3_B2 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: FF800R17KE3_B2
• Description: IGBT Modules N-CH 1.7KV 1.2KA
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of FF800R17KE3_B2

• Configuration: Dual Dual Collector Dual Emitter
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 1700 V
• Continuous Collector Current At 25 C: 1200 A
• Maximum Operating Temperature: + 125 C
• Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Mounting Style: Screw
• Package / Case: IHM130
• Ic (max): 800.0 A
• Vce(sat) (typ): 2.0 V
• Technology: IGBT3
• Housing: IHM 130 mm

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
Modul / module
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
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