FF900R12IP4D Infineon Technologies, FF900R12IP4D Datasheet

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FF900R12IP4D

Manufacturer Part Number
FF900R12IP4D
Description
IGBT Module
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheets

Specifications of FF900R12IP4D

Module Configuration
Dual
Transistor Polarity
N Channel
Dc Collector Current
900A
Collector Emitter Voltage Vces
1.2kV
Power Dissipation Pd
5.1kW
No. Of Pins
10
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(sat)
1.7V
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
150C
Operating Temperature Classification
Automotive
Rohs Compliant
Yes
Ic (max)
900.0 A
Vce(sat) (typ)
1.7 V
Configuration
dual
Technology
IGBT4
Housing
PrimePACK™ 2
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
PrimePACK™3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, größerer Emitter Controlled 4 Diode
PrimePACK™3 module with Trench/Fieldstop IGBT4, increased Emitter Controlled 4 diode
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Technische Information / technical information DF1400R12IP4D IGBT-Module IGBT-modules * * * : * : 1AO7 1AO7 1AO7 1AO7 1AO7 8 1AO7 1AO7 8 1AO7 8 ...

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Technische Information / technical information DF1400R12IP4D IGBT-Module IGBT-modules 8 8 1AO7 1AO7 1AO7 1AO7 1AO7 8 1AO7 1AO7 8 1AO7 8 ...

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Technische Information / technical information DF1400R12IP4D IGBT-Module IGBT-modules ...

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Technische Information / technical information DF1400R12IP4D IGBT-Module IGBT-modules Schaltplan / circuit diagram Gehäuseabmessungen / package outlines Vorläufige Daten preliminary data 8 ...

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Technische Information / technical information DF1400R12IP4D IGBT-Module IGBT-modules Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für ...

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