K7N163631B-QFCI25 SAMSUNG [Samsung semiconductor], K7N163631B-QFCI25 Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: K7N163631B-QFCI25
• Description: 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM
• Manufacturer: SAMSUNG [Samsung semiconductor]

K7N163631B
K7N161831B
165-PIN FBGA PACKAGE CONFIGURATIONS
PIN NAME
K7N163631B(512Kx36)
Note : * A
A
A
ADV
WE
CLK
CKE
CS
CS
CS
BWx
(x=a,b,c,d)
OE
ZZ
LBO
TCK
TMS
TDI
TDO
0
,A
G
M
A
B
C
D
E
H
K
N
P
R
F
J
L
1
2
2
1
SYMBOL
0
and A
DQPd
DQPc
DQd
DQd
DQd
DQd
DQc
DQc
DQc
DQc
LBO
NC
NC
NC
NC
1
1
are the two least significant bits(LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
Address Inputs
Burst Address Inputs
Address Advance/Load
Read/Write Control Input
Clock
Clock Enable
Chip Select
Chip Select
Chip Select
Byte Write Inputs
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Mode Control
JTAG Test Clock
JTAG Test Mode Select
JTAG Test Data Input
JTAG Test Data Output
DQd
DQd
DQd
DQd
DQc
DQc
DQc
DQc
V
NC
NC
NC
NC
A
A
2
DD
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
CS1
CS2
NC
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
A
A
3
PIN NAME
BWc
BWd
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
4
A
A
SS
DD
DD
DD
DD
DD
DD
DD
DD
DD
SS
BWb
BWa
TMS
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
TDI
NC
5
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM
- 6 -
(TOP VIEW)
V
V
N.C.
DQa
DQb
DQc
DQd
DQPa~Pd
V
CS2
CLK
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
DD
SS
DDQ
NC
A
A
6
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
1
0
*
*
SYMBOL
TDO
CKE
TCK
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
WE
NC
7
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
Power Supply
Ground
No Connect
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Output Power Supply
ADV
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
OE
8
A
A
DD
DD
DD
DD
DD
DD
DD
DD
DD
SS
SS
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
NC
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
A
A
A
A
9
PIN NAME
Preliminary
DQb
DQb
DQb
DQb
DQa
DQa
DQa
DQa
NC
NC
NC
10
A
A
A
A
Jan. 2005
DQPb
DQPa
DQb
DQb
DQb
DQb
DQa
DQa
DQa
DQa
Rev 0.4
NC
NC
NC
11
ZZ
A
TM