cph6603 Sanyo Semiconductor Corporation, cph6603 Datasheet - Page 2
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cph6603
Manufacturer Part Number
cph6603
Description
P-channel Silicon Mosfet
Manufacturer
Sanyo Semiconductor Corporation
Datasheet
1.CPH6603.pdf
(4 pages)
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Electrical Connection
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
0
0
6
1
--0.1
--1
Parameter
5
2
I D = --0.4A --0.8A
--0.2
--2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
4
3
--0.3
--3
R DS (on) -- V GS
Top view
--0.4
I D -- V DS
--4
--0.5
--5
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
--0.6
--6
Symbol
t d (on)
t d (off)
--0.7
Coss
Crss
V SD
Ciss
Qgd
Qgs
--7
Qg
t r
t f
--0.8
--8
Ta=25 C
--0.9
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =- -1.5A
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =- -1.5A
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =- -1.5A
I S =--1.5A, V GS =0
--9
IT04057
IT04058
--1.0
--10
CPH6603
Conditions
Switching Time Test Circuit
--10V
P.G
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
600
500
400
300
200
100
0V
PW=10 s
D.C. 1%
0
0
--60
0
V DS = --10V
V IN
--40
--0.5
--20
V IN
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
50
--1.0
Ambient Temperature, Ta -- C
G
0
R DS (on) -- Ta
V DD = --15V
min
20
--1.5
I D -- V GS
D
S
40
I D = --0.8A
R L =18.7
--2.0
Ratings
CPH6603
60
typ
--0.88
185
4.7
0.8
0.7
V OUT
22
30
20
--2.5
7
4
8
80
100
--3.0
max
--1.5
120
No.7146-2/4
--3.5
140
IT02666
IT04059
Unit
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
--4.0
160