cph6311 Sanyo Semiconductor Corporation, cph6311 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: cph6311
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

1000
0.01
100
100
140
120
100
1.0
--10
1.0
0.1
10
10
80
60
40
20
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--0.01
--0.1
0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
0
I D = --1.0A
V DD = --10V
V GS = --4.5V
V DS = --10V
I D = --5A
--1
2
5
2
3
--3.0A
--2
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
5 7
3
Total Gate Charge, Qg -- nC
10
--3
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
--0.1
SW Time -- I D
5
yfs -- I D
V GS -- Qg
t f
--4
15
7
2
--1.0
--5
3
20
5 7
--6
--1.0
2
--7
25
3
2
V DS = --10V
--8
3
Ta=25°C
5
30
--9
IT02278
IT02280
IT02284
IT02282
5 7
7
CPH6311
--10
--10
--10
35
--0.001
10000
--0.01
--0.01
--100
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
--10
100
140
120
100
80
60
40
20
--0.01
0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--60
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
Ta=25°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
V GS =0V
--40
2 3
--0.1
--2
Operation in
this area is
limited by R DS (on).
--20
--0.2
5 7
--4
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Ambient Temperature, Ta -- °C
--0.1
0
--0.3
--6
2 3
R DS (on) -- Tc
20
--0.4
I S -- V SD
--8
5 7
A S O
40
--0.5
--10
--1.0
60
2 3
--0.6
--12
80
PW≤10µs
2
✕0.8mm)
5 7
--0.7
--14
100
--10
--0.8
--16
No.6794-3/4
120
2 3
f=1MHz
--0.9
--18
140
IT02281
IT02283
IT02279
IT02285
5 7
--1.0
--100
160
--20