cph3318 Sanyo Semiconductor Corporation, cph3318 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: cph3318
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

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Switching Time Test Circuit
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
1400
1200
1000
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
800
600
400
200
0
0
--1
0
I D = --0.3A
--10V
P.G
--0.2
Parameter
--2
0V
PW=10 s
D.C. 1%
--0.4
V IN
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--3
--0.6
--0.5A
R DS (on) -- V GS
--4
V IN
--0.8
I D -- V DS
50
G
--5
--1.0
V DD = --15V
--6
--1.2
D
Symbol
t d (on)
t d (off)
Coss
Ciss
Crss
V SD
Qgs
Qgd
S
Qg
--7
t r
t f
I D = --500mA
R L =30
--1.4
CPH3318
--8
--1.6
V OUT
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -1A
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -1A
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -1A
I S =--1A, V GS =0
Ta=25 C
--1.8
--9
IT03310
IT03312
CPH3318
--2.0
--10
Conditions
1200
1000
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
800
600
400
200
0
0
--60
0
V DS = --10V
--40
--0.5
--20
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--1.0
Ambient Temperature, Ta -- C
0
min
R DS (on) -- Ta
--1.5
20
I D -- V GS
40
Ratings
--2.0
typ
--0.89
60
2.6
0.5
0.5
75
16
12
9
6
4
4
--2.5
80
max
100
--1.5
--3.0
120
No.7122-2/4
--3.5
Unit
nC
nC
nC
140
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
IT03311
IT03313
V
--4.0
160