cph3314 Sanyo Semiconductor Corporation, cph3314 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: cph3314
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

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Switching Time Test Circuit
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
0
0
--0.1
Parameter
--1
--10V
PW=10 s
D.C. 1%
I D = --0.4A --0.8A
P.G
0V
--0.2
--2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
V IN
--0.3
--3
R DS (on) -- V GS
V IN
--0.4
I D -- V DS
--4
50
G
--0.5
--5
--0.6
V DD = --15V
--6
Symbol
t d (on)
t d (off)
V SD
Qgs
Qgd
D
Qg
t r
t f
--0.7
--7
S
I D = --0.8A
R L =18.7
--0.8
--8
CPH3314
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =- -1.6A
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =- -1.6A
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =- -1.6A
I S =--1.6A, V GS =0
Ta=25 C
--0.9
--9
IT02665
IT02667
V OUT
CPH3314
--1.0
--10
Conditions
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
600
500
400
300
200
100
0
0
--60
0
V DS = --10V
--40
--0.5
--20
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
--1.0
0
min
R DS (on) -- Ta
20
--1.5
I D -- V GS
40
Ratings
--2.0
typ
--0.9
60
4.7
0.8
0.7
22
7
4
8
--2.5
80
max
100
--1.5
--3.0
120
No.6909-2/4
--3.5
Unit
nC
nC
nC
140
ns
ns
ns
ns
IT02666
IT02668
V
--4.0
160