PBSS4160DS Philips Semiconductors, PBSS4160DS Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: PBSS4160DS
• Description: NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
PBSS4160DS_2
Product data sheet
Fig 5. DC current gain as a function of collector
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(mV)
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
h
CEsat
10
10
FE
800
600
400
200
0
1
10
1
2
10
V
current; typical values
function of collector current; typical values
I
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
1
B
= 5 V
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 20
1
1
(1)
(2)
(3)
10
10
(1)
(2)
(3)
10
10
2
2
10
10
006aaa513
006aaa505
3
3
I
I
C
C
(mA)
(mA)
10
10
Rev. 02 — 27 June 2005
4
4
Fig 6. Base-emitter voltage as a function of collector
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) I
(2) I
(3) I
V
CEsat
(V)
(V)
10
10
10
BE
60 V, 1 A NPN/NPN low V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1
10
1
2
3
10
V
current; typical values
T
function of collector current; typical values
C
C
C
amb
amb
amb
amb
CE
/I
/I
/I
1
1
B
B
B
= 5 V
= 100
= 50
= 10
= 55 C
= 25 C
= 100 C
= 25 C
1
1
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
10
10
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
PBSS4160DS
10
10
2
2
CEsat
10
10
(BISS) transistor
006aaa506
3
006aaa514
3
I
I
C
C
(mA)
(mA)
10
10
4
4
7 of 14