PBSS4140S Philips Semiconductors, PBSS4140S Datasheet - Page 4

no-image

PBSS4140S

Manufacturer Part Number
PBSS4140S
Description
40 V low VCEsat NPN transistor
Manufacturer
Philips Semiconductors
Datasheet
Philips Semiconductors
2001 Nov 27
handbook, halfpage
handbook, halfpage
40 V low V
V CEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
C
(mV)
h FE
CE
/I
1000
B
800
600
400
200
10
10
= 5 V.
= 10.
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
1
3
2
1
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
(1)
(2)
(3)
10
CEsat
10
NPN transistor
10
(1)
2
(2)
(3)
10
2
10
3
10
I C (mA)
3
I C (mA)
MHC077
MHC079
10
10
4
4
4
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
R CEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
C
CE
/I
( )
V BE
(V)
10
B
10
10
= 5 V.
= 10.
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
10
1
1
1
2
1
1
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
1
1
(1)
(2)
(3)
10
10
10
10
(1)
2
(2)
(3)
2
PBSS4140S
Product specification
10
10
3
3
I C (mA)
I C (mA)
MHC078
MHC080
10
10
4
4

Related parts for PBSS4140S