PBSS2540F Philips Semiconductors, PBSS2540F Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: PBSS2540F
• Description: 40 V low V NPN transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2001 Oct 31
handbook, halfpage
40 V low V
handbook, halfpage
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
V CEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
C
(mV)
CE
/I
B
h FE
= 2 V.
10
10
1200
1000
= 20.
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
800
600
400
200
10
3
2
0
10
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
1
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
CEsat
1
1
(1)
(2)
(3)
NPN transistor
10
10
(1)
(2)
(3)
10
10
2
I C (mA)
2
I C (mA)
MHC086
MHC082
10
10
3
3
4
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V BEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
(mV)
C
CE
(mV)
V BE
/I
1200
1000
1200
1000
B
800
600
400
200
800
600
400
200
= 2 V.
= 20.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
1
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
10
10
PBSS2540F
Product specification
10
10
2
2
I C (mA)
I C (mA)
MHC085
MHC084
10
10
3
3