PBSS2540E Philips Semiconductors, PBSS2540E Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: PBSS2540E
• Description: 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
9397 750 15063
Product data sheet
Fig 3. DC current gain as a function of collector
Fig 5. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(mV)
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
h
CEsat
10
10
FE
600
500
400
300
200
100
0
1
1
2
10
10
V
current; typical values
function of collector current; typical values
I
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
-1
/I
1
B
= 2 V
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 20
1
1
(1)
(2)
(3)
10
10
(1)
(2)
(3)
10
10
2
2
I
I
006aaa380
C
006aaa382
C
(mA)
(mA)
10
10
3
3
Rev. 01 — 4 May 2005
Fig 4. Base-emitter voltage as a function of collector
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(mV)
(mV)
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) I
(2) I
(3) I
CEsat
1100
10
10
BE
900
700
500
300
100
40 V, 500 mA NPN low V
1
10
1
2
10
V
current; typical values
T
function of collector current; typical values
C
C
C
amb
amb
amb
amb
CE
/I
/I
/I
1
1
B
B
B
= 2 V
= 100
= 50
= 10
= 55 C
= 25 C
= 100 C
= 25 C
1
1
(1)
(2)
(3)
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
10
10
(1)
(2)
(3)
PBSS2540E
CEsat
10
10
2
2
(BISS) transistor
I
I
006aaa381
C
006aaa383
C
www.DataSheet4U.com
(mA)
(mA)
10
10
3
3
6 of 11