BC847BVN Philips Semiconductors, BC847BVN Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: BC847BVN
• Description: NPN/PNP general purpose transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2001 Nov 07
handbook, halfpage
handbook, halfpage
NPN/PNP general purpose transistor
TR2 (PNP); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.6
V CEsat
TR2 (PNP); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.8
(mV)
1000
h FE
800
600
400
200
10
10
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
4
3
2
10
10
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
DC current gain as a function of collector
current: typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current: typical values.
1
2
C
CE
/I
B
= 5 V.
= 20.
10
(1)
(2)
(3)
1
1
(2)
1
10
(1)
(3)
10
10
10
2
I C (mA)
I C (mA)
2
MLD699
MLD701
10
10
3
3
5
handbook, halfpage
handbook, halfpage
TR2 (PNP); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.7
TR2 (PNP); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.9
V BEsat
(mV)
V BE
1200
1000
1200
1000
mV
800
600
400
200
800
600
400
200
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
2
1
C
CE
/I
B
= 5 V.
= 20.
10
1
1
1
(1)
(2)
(3)
10
(1)
(2)
(3)
10
Product specification
BC847BVN
10
10
2
I C (mA)
I C (mA)
2
MLD700
MLD702
10
10
3
3