BC847BVN Philips Semiconductors, BC847BVN Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: BC847BVN
• Description: NPN/PNP general purpose transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2001 Nov 07
handbook, halfpage
handbook, halfpage
NPN/PNP general purpose transistor
TR1 (NPN); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
V CEsat
TR1 (NPN); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
(mV)
h FE
600
400
200
10
10
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
10
4
3
2
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
1
DC current gain as a function of collector
current: typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current: typical values.
C
CE
/I
B
= 5 V.
= 20.
1
1
(1)
(2)
(3)
(2)
10
10
(1)
(3)
10
10
2
2
I C (mA)
I C (mA)
MLD705
MLD703
10
10
3
3
4
handbook, halfpage
handbook, halfpage
TR1 (NPN); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
TR1 (NPN); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
V BEsat
(mV)
V BE
1200
1000
1200
1000
mV
800
600
400
200
800
600
400
200
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
2
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
1
C
CE
/I
B
10
= 5 V.
= 20.
1
1
1
10
(1)
(2)
(3)
10
(2)
(3)
(1)
Product specification
10
BC847BVN
10
2
I C (mA)
2
I C (mA)
MLD704
MLD706
10
10
3
3