MJW16010A Freescale Semiconductor, Inc, MJW16010A Datasheet - Page 6
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MJW16010A
Manufacturer Part Number
MJW16010A
Description
Npn Silicon Power Transistors
Manufacturer
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet
1.MJW16010A.pdf
(10 pages)
MJW16010A
6
20
16
12
8
4
0
0
Figure 15. Maximum Reverse Biased
V CE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
I C /I B1 4
T J 100 C
200
Safe Operating Area
+10
+15
400
V off
1 µF
50 Ω
GUARANTEED OPERATING AREA INFORMATION
500 µF
0.05
0.03
0.5
0.3
0.2
0.1
É É É É É É É É É É É É É É
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30
20
10
V BE(off) = 0 V
5
3
1
600
MPF930
Figure 14. Maximum Rated Forward Biased
Figure 17. Switching Safe Operating Area
150 Ω
REGION II —
EXPANDED FBSOA USING
MUR8100 ULTRA–FAST
RECTIFIER, SEE FIGURE 17
V CE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
150 Ω
MPF930
1
T C = 25 C
V BE(off) = 5 V
100 Ω
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
800
Safe Operating Area
MTP8P10
MJE210
MUR105
1000
10
100 µF
1 µF
100
dc
80
60
40
20
0
100
1 ms
0
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
10 µs
MTP8P10
MTP12N10
R B1
R B2
MUR105
40
100
ns
II
THERMAL
DERATING
10 µF
1000
Figure 16. Power Derating
Note: Test Circuit for Ultra–fast FBSOA
Note:
MUR1100
T C , CASE TEMPERATURE ( C)
R B2 = 0 and V Off = – 5 Volts
V CE (1000 V MAX)
80
T.U.T.
10 mH
SECOND BREAKDOWN
DERATING
120
MUR8100
160
200