FSS140 Sanyo Semiconductor Corporation, FSS140 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: FSS140
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

Continued from preceding page.
Switching Time Test Circuit
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
140
120
100
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
0
0
0
0
I D = --4A
--0.1
--2
Parameter
--0.2
--10V
PW=10 s
D.C. 1%
--4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
P.G
--5A
0V
--0.3
V IN
--6
R DS (on) -- V GS
--0.4
I D -- V DS
--8
V IN
--0.5
--10
50
G
--0.6
--12
V DD = --15V
R DS (on)1
R DS (on)2
R DS (on)3
Symbol
t d (on)
t d (off)
D
Coss
--0.7
Crss
V SD
--14
Ciss
Qgs
Qgd
Qg
t r
t f
S
I D = --5A
R L =3.0
--0.8
--16
Ta=25 C
FSS140
I D =- -5A, V GS =- -10V
I D =- -4A, V GS =- -4.5V
I D =- -4A, V GS =- -4V
V DS =- -10V, f=1MHz
V DS =- -10V, f=1MHz
V DS =- -10V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
V DS =- -10V, V GS =--10V, I D =- -5A
V DS =- -10V, V GS =--10V, I D =- -5A
V DS =- -10V, V GS =--10V, I D =- -5A
I S =--5A, V GS =0
--0.9
--18
V OUT
IT02539
IT02537
--1.0
--20
FSS140
Conditions
140
120
100
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
0
0
--60
0
V DS = --10V
--40
--0.5
--20
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
--1.0
0
min
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
--1.5
40
Ratings
typ
--0.83
1000
60
250
160
--2.0
45
75
80
10
80
52
41
19
2
4
80
max
--2.5
100
--1.5
105
112
59
120
No.6787-2/4
--3.0
140
Unit
IT02538
IT02540
m
m
m
pF
pF
nC
nC
nC
pF
ns
ns
ns
ns
V
--3.5
160